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袁源

作品数：7 被引量：49H指数：3
供职机构：南京航空航天大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇碳化硅
  • 2篇开关特性
  • 2篇半导体
  • 2篇MOSFET
  • 1篇低损耗
  • 1篇电路
  • 1篇电阻
  • 1篇信道
  • 1篇信源
  • 1篇信源信道
  • 1篇抑制方法
  • 1篇译码
  • 1篇数据压缩
  • 1篇双脉冲
  • 1篇特性参数
  • 1篇通态特性
  • 1篇通信
  • 1篇通信系统
  • 1篇桥臂
  • 1篇驱动电阻

机构

  • 7篇南京航空航天...

作者

  • 7篇袁源
  • 6篇秦海鸿
  • 3篇钟志远
  • 2篇赵斌
  • 2篇朱梓悦
  • 1篇刘宇
  • 1篇聂新
  • 1篇宋晓勤
  • 1篇余忠磊
  • 1篇谢畅
  • 1篇王耀洲
  • 1篇陆蓉

传媒

  • 2篇电工电能新技...
  • 1篇电气自动化
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
SiC功率器件在Buck电路中的应用研究被引量：5
2014年
近年来,一种新型半导体器件碳化硅(SiC)以其优良的性能逐渐受到人们的关注。介绍了SiC的材料特性及基于SiC的功率开关器件的特性,并对其在Buck电路中的应用进行了探索。主要对SiC器件的特性参数进行分析,并对Buck电路的主功率部分及控制驱动部分进行了设计。通过设计Buck电路并进行仿真实验,验证了理论设计的正确性。实验结果表明,SiC MOSFET器件在高频大电压的应用场合相对于硅(Si)MOSFET器件有着开关损耗低,效率高等优点。
马策宇陆蓉袁源秦海鸿
关键词：半导体器件特性参数
SiC功率器件的开关特性探究被引量：25
2014年
与Si功率器件相比,SiC功率器件因其阻断电压高、开关频率高和工作温度高的性能特点,显示出广阔的应用前景。本文分析了SiC肖特基二极管和SiC MOSFET的开关特性,重点研究其与Si功率器件的特性与应用差异。设计制作了基于Buck变换器的测试实验样机,分别采用Si功率器件和SiC功率器件进行测试,对测试结果进行了对比分析。实验结果验证了文中分析的开关特性差异,从而为SiC功率器件的优化选择和应用提供了一定依据。
赵斌秦海鸿马策宇袁源钟志远
关键词：碳化硅肖特基二极管MOSFET开关特性
一种基于深度学习的语义通信文本传输优化方法
本发明提出一种基于深度学习的语义通信文本传输优化方法，该方法针对传统通信系统数据压缩受限的问题，首先采用以Transformer构建的语义通信系统，实现特定场景下对语义信息的提取及压缩，通过信源信道联合编码，更大程度的保...
袁源宋晓勤赵晨辰刘宇陈思祺
一种新型的耐高温碳化硅超结晶体管
2015年
对Si C BJT的特性和参数进行了分析研究。以Gene Si C公司的1 200 V/7 A Si C超结晶体管为例,详细阐述了其静态特性、栅极控制特性、动态特性及安全工作区。并与目前商用最好水平的Si-IGBT进行了对比研究。Si C SJT在250℃时开关时间小于15 ns,325℃时漏电流低于100 u A,电流增益高达72,反向偏置安全工作区呈矩形,无二次击穿,具有承受长达22μs短路的能力。以100 k Hz、800 V/7 A下进行开关动作时,Si C SJT与Si C肖特基二极管组合起来的开关损耗,比采用Si IGBT和Si快恢复续流二极管组合的降低64%左右,适合高频工作。
袁源王耀洲谢畅秦海鸿
关键词：半导体元件耐高温低损耗
一种磁隔离驱动电路
本发明涉及一种应用于开关电源功率开关管的磁隔离驱动电路，尤其涉及一种应用于碳化硅功率MOS管的磁隔离驱动电路。包括：控制电路；第一电容C<Sub>1</Sub>；隔离驱动变压器T<Sub>1</Sub>；第二电容C<Su...
赵斌秦海鸿聂新马策宇袁源
文献传递
碳化硅MOSFET桥臂电路串扰抑制方法被引量：16
2015年
与硅MOSFET相比,碳化硅MOSFET更加有利于满足变换器高效率、高功率密度和高可靠性的发展要求。然而在桥臂电路中,上下管之间的串扰问题严重限制了碳化硅MOSFET性能优势的发挥。本文在分析了串扰问题产生机理的基础上,采用了一种改进的基于PNP三极管的有源密勒箝位方法,对串扰进行了有效抑制,并搭建了双脉冲测试平台进行实验验证。实验结果表明,改进的方法能够获得较好的串扰抑制效果,对碳化硅MOSFET的驱动电路设计具有一定指导意义。
钟志远秦海鸿袁源朱梓悦谢昊天
关键词：碳化硅
碳化硅MOSFET器件特性的研究被引量：3
2015年
由于材料性能的不同,碳化硅MOSFET与硅MOSFET在电气特性方面存在一些显著差异,不能简单地将硅MOSFET直接替换为碳化硅MOSFET。为了准确地掌握碳化硅MOSFET在实际应用中的工作特性,利用双脉冲测试电路对器件特性进行了研究,重点对通态特性和开关特性进行了分析、总结,实验结果可对基于碳化硅MOSFET的变换器优化设计提供指导。
钟志远秦海鸿朱梓悦袁源余忠磊
关键词：碳化硅MOSFET开关特性通态特性
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