李小帅
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
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- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 一种大尺寸超薄硒化铋纳米片的制备方法
- 本发明公开了一种大尺寸超薄硒化铋（Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>）纳米片的制备方法—气相传输法，其制备工艺包括以下几步：1）按2:3的摩尔比称取一定量的铋粉和硒粉，清洗好Si/SiO<Sub>2...
- 王增梅李小帅朱鸣芳
- 文献传递
- Bi2Se3拓扑绝缘体制备与力学、电化学性能研究
- Bi2Se3是最新发现的一种新型三维拓扑绝缘体材料，具有一系列优异的电学特性，在低能耗电子器件领域有很大应用前景。纳米尺寸的Bi2Se3成为当前的研究热点，其合成技术还不完善，尤其是制备用于微电子器件的超大尺寸Bi2Se...
- 李小帅
- 关键词：纳米力学性能电化学性能
- 气相传输法制备大尺寸单晶Bi_2Se_3纳米片、纳米带
- 2014年
- 低维Bi2Se3纳米材料是最新研究发现的一种新型三维拓扑绝缘体材料,在微电子器件和传感器领域具有广阔的应用前景。本研究采用气相传输法在真空石英管中合成了大尺寸单晶Bi2Se3纳米片、纳米带。通过XRD、EDS、Raman、SEM等手段对Bi2Se3纳米片、纳米带的物相结构、组成、表面形貌等进行表征。测试结果表明：气相传输法合成的单晶Bi2Se3纳米片、纳米带相纯度高,结晶性能好,均是{001}取向;Bi2Se3纳米片水平尺寸大,约为15--180μm;Bi2Se3纳米带长度达860μm,宽度约5μm。根据不同温度下制备的Bi2Se3纳米片、纳米带SEM照片及其不同方向结合能的差异,分析了其可能的生长机制：在较高温度下沿〈001〉和〈1010〉方向生长速度快,生成大尺寸单晶Bi2Se3纳米片;在较低温度下,沿〈1120〉方向生长速度快,生成大尺寸单晶Bi2Se3纳米带。这些研究结果完善了大尺寸Bi2Se3纳米材料的制备工艺,有望在微电子器件领域得到商业化应用。
- 李小帅王增梅朱鸣芳王善朋陶绪堂陆骏陈兴涛徐佳乐
- 一种大尺寸超薄硒化铋纳米片的制备方法
- 本发明公开了一种大尺寸超薄硒化铋（Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>）纳米片的制备方法—气相传输法，其制备工艺包括以下几步：1）按2:3的摩尔比称取一定量的铋粉和硒粉，清洗好Si/SiO<Sub>2...
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