陆骏
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：东南大学材料科学与工程学院江苏省土木工程材料重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 气相传输法制备大尺寸单晶Bi_2Se_3纳米片、纳米带
- 2014年
- 低维Bi2Se3纳米材料是最新研究发现的一种新型三维拓扑绝缘体材料,在微电子器件和传感器领域具有广阔的应用前景。本研究采用气相传输法在真空石英管中合成了大尺寸单晶Bi2Se3纳米片、纳米带。通过XRD、EDS、Raman、SEM等手段对Bi2Se3纳米片、纳米带的物相结构、组成、表面形貌等进行表征。测试结果表明：气相传输法合成的单晶Bi2Se3纳米片、纳米带相纯度高,结晶性能好,均是{001}取向;Bi2Se3纳米片水平尺寸大,约为15--180μm;Bi2Se3纳米带长度达860μm,宽度约5μm。根据不同温度下制备的Bi2Se3纳米片、纳米带SEM照片及其不同方向结合能的差异,分析了其可能的生长机制：在较高温度下沿〈001〉和〈1010〉方向生长速度快,生成大尺寸单晶Bi2Se3纳米片;在较低温度下,沿〈1120〉方向生长速度快,生成大尺寸单晶Bi2Se3纳米带。这些研究结果完善了大尺寸Bi2Se3纳米材料的制备工艺,有望在微电子器件领域得到商业化应用。
- 李小帅王增梅朱鸣芳王善朋陶绪堂陆骏陈兴涛徐佳乐
