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张丹

作品数:9 被引量:37H指数:4
供职机构:厦门大学嘉庚学院更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术石油与天然气工程机械工程更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇机械工程

主题

  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇电容
  • 2篇电容式
  • 2篇压力传感器
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇力传感器
  • 2篇高温测量
  • 1篇单片
  • 1篇单片机
  • 1篇电工学
  • 1篇电极
  • 1篇电路
  • 1篇选择电极
  • 1篇掩膜
  • 1篇阳极键合
  • 1篇湿法
  • 1篇实践教学
  • 1篇实践教学改革

机构

  • 9篇厦门大学
  • 2篇莆田学院

作者

  • 9篇张丹
  • 8篇冯勇建
  • 6篇郑志霞
  • 4篇林雁飞
  • 1篇林育兹

传媒

  • 4篇微纳电子技术
  • 1篇传感器技术
  • 1篇中国机械工程
  • 1篇现代仪器
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇电气电子教学...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2008
  • 3篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2003
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
基于模型识别技术的高温微型压力传感器被引量:2
2004年
高温压力传感器应用在很多领域,由于高温将使放大电路工作失效,因而采用将放大电路与传感器件分离的设计方案是解决高温测量的方法之一。介绍一种将放大电路与传感器件分离的基于模型识别技术的微型电容式压力传感器。传感器件由MEMS工艺来实现,信号激励与信号处理由计算机来完成。对电路的工作过程进行了计算机仿真和试验,并给出了微型高温压力传感器的MEMS工艺设计流程。
郑志霞冯勇建张丹
关键词:高温压力传感器放大电路高温测量MEMS工艺
基于模型识别的高温微型压力传感器
2003年
高温测量是急需解决的测量问题之一。介绍一种将放大电路与信号传感器件分离的基于模型识别技术的高温微型电容式压力传感器。电阻电容信号滤波网络和信号的模型识别组成一个微型传感系统,在对滤波网络进行激励和模型识别后就可以得到变化的电容值。这种MEMS技术制作的硅玻璃键合的电容式压力传感器,可以在小于300℃环境下工作。此高温测量系统既满足高精度测量的要求,也避免了在高温环境中进行信号放大的难题。
张丹冯勇建郑志霞
关键词:高温测量微型压力传感器MEMS电容式
碳酸根和碳酸氢根测定方法和自动测定仪被引量:13
2004年
油田水中含有大量的碳酸根和碳酸氢根 ,介绍采用双电极法测定的原理和方法 ,并研制基于该法的自动测定系统。测试系统以单片机为核心进行控制和信号处理 ,放大电路实现高阻抗匹配和信号放大 ,温度补偿电路实现温度的自补偿。系统具有性能可靠、测量速度快、测量范围宽、可长时间连续使用和在线测试的特点。
郑志霞张丹冯勇建
关键词:离子选择电极单片机
PYREX玻璃湿法凹槽腐蚀研究被引量:7
2005年
在玻璃上刻蚀凹槽作为腔体,是半导体制造工艺中一个新方法。本文讨论了玻璃湿法腐蚀的工艺方法,通过清洗、涂胶、光刻、腐蚀等工艺的反复实验,分析了涂胶厚度与甩胶速率的关系,腐蚀深度随腐蚀时间的变化情况,并总结出玻璃刻蚀过程中的重要参数和注意事项。
林雁飞郑志霞张丹冯勇建
关键词:湿法腐蚀
P+膜制备工艺研究
2005年
通过对浓硼扩散工艺的介绍,讨论了沉积过程中的几个重要参数,并针对扩散过程中出现的硼硅玻璃等问题,提出了可行的解决方法.
林雁飞冯勇建张丹
关键词:扩散硼硅玻璃
基于MEMS技术的电容式微型真空传感器被引量:5
2008年
介绍了一种以MEMS技术为基础的电容式硅微真空传感器。该传感器主要采用p+硅自停止腐蚀技术和阳极键合技术制作,形成了玻璃-硅-玻璃的三明治结构。传感器的传感元是经过浓硼扩散的硼硅膜,方形硼硅膜的应用使传感器具有更高的灵敏度;感应耦合等离子体刻蚀硼硅膜引出金属电极的方法使传感器的制作更为简单。该真空微传感器具有结构简单、灵敏度高等优点,其尺寸为5mm×6.4mm。该真空传感器的测量范围为5×10-3~6×10-2Pa,其线性度为5.9%,灵敏度比较稳定。
张丹林雁飞冯勇建
关键词:微机电系统传感器阳极键合
浅谈“电工学”实践教学改革及成效被引量:1
2012年
电工学实践是电工学课程的重要教学环节。我们在借鉴各高校教学改革经验和成果的基础上,根据我校院人才培养的总体要求,对电工学的实践教学着重从安全、规范、有效、创新的角度进行系列改革,并取得了一定成效。本文介绍了我校院在电工学实践方面的具体改革措施,提出了实践教学值得探讨的若干问题。
林育兹张丹
关键词:教学改革
硅的凸角补偿尺寸及腐蚀中避免削角的新方法被引量:3
2004年
在硅的腐蚀过程中,如果不对台面凸角加以补偿,会产生严重的削角现象。本文采用在凸角上补偿正方形掩膜的方法,通过实验得出要在TMAH腐蚀液中将厚度约为300μm的硅片腐蚀出完整的台面凸角结构需要补偿多大尺寸的正方形掩膜。硅片与玻璃键合后,由于硅晶格的变化使得与玻璃键合的那一层硅很难腐蚀掉,本文也介绍了一种缩短腐蚀时间、避免削角的方法。
张丹郑志霞冯勇建
关键词:凸角补偿
BP-212正性光刻胶的抗蚀特性研究被引量:8
2005年
BP-212正性光刻胶作为掩膜在BHF腐蚀液中腐蚀十几分钟后,光刻胶被腐蚀液破坏而浮胶。玻璃或热生长的二氧化硅深槽腐蚀时间要求几十分钟,传统解决办法是多次光刻腐蚀。本文研究了光刻胶抗腐蚀特性,得出足够的活化时间、合适的匀胶转速、多次坚膜腐蚀可以延长产生浮胶时间的结论。
郑志霞冯勇建张丹林雁飞
关键词:掩膜湿法腐蚀
共1页<1>
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