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黄杰

作品数:8 被引量:5H指数:1
供职机构:湖北工业大学更多>>
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相关领域:自动化与计算机技术水利工程医药卫生电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇水利工程
  • 1篇天文地球
  • 1篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 3篇嵌入式
  • 2篇血压
  • 2篇填埋
  • 2篇填埋场
  • 2篇嵌入式系统
  • 2篇垃圾
  • 2篇垃圾填埋
  • 2篇垃圾填埋场
  • 2篇防渗
  • 2篇防渗层
  • 2篇保护层
  • 2篇边坡
  • 2篇ARM嵌入式
  • 2篇ARM嵌入式...
  • 2篇衬垫系统
  • 1篇单电子晶体管
  • 1篇电流
  • 1篇电子对
  • 1篇电子血压计
  • 1篇动物

机构

  • 8篇湖北工业大学
  • 1篇国网安徽省电...

作者

  • 8篇黄杰
  • 4篇张洪涛
  • 4篇王琰
  • 2篇陈智
  • 2篇肖衡林
  • 2篇李丽华
  • 2篇马强
  • 2篇陶高梁
  • 2篇叶建军
  • 2篇宋玲
  • 1篇许正望
  • 1篇李利荣
  • 1篇王洋
  • 1篇毛宏飞
  • 1篇袁峰

传媒

  • 2篇湖北工业大学...
  • 1篇湘潭师范学院...
  • 1篇湖南工业大学...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2010
  • 3篇2009
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
室温似单电子晶体管高电流分析
2009年
在实验中观察到纳米线金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)室温下出现Ⅰ-Ⅴ高电流似单电子库仑阻塞特性。分析了这一现象产生的机理,提出了似单电子库仑阻塞模型,认为纳米线晶体中的结构发生变化,造成特殊的"岛",电子在耦合机制的作用下,形成类似的库伯电子对,在"岛"上实现似单电子隧穿。这时,库仑阻塞效应的机制由单电子变成成对的多电子,这可造成充电能增大,在室温下隧穿。由于耦合电子对的出现,随栅压加大,使电子隧穿时,既可实现库仑阻塞,又使电流加大,室温下出现高电流台阶。
张洪涛许正望李利荣黄杰王琰宋玲
关键词:单电子晶体管电子对
用于垃圾填埋场底部边坡上的防渗衬垫系统及施工方法
本发明提供了一种用于垃圾填埋场底部边坡上的防渗衬垫系统及相应的施工方法。本发明所提供的防渗衬垫系统,其特征在于,包括:压实土壤保护层,多层压实土分层压实形成;土工格栅加筋层,铺设在压实土壤保护层上;GCL(膨润土防水垫)...
李丽华耿樟帅黄杰肖衡林马强叶建军陶高梁陈智胡智李俊鹏
文献传递
一种基于ARM嵌入式系统的血压检测系统的设计被引量:3
2010年
设计了基于ARM嵌入式系统的血压检测系统,本系统采用微控制器LPC2131为主进行设计,可以实现对血压及脉搏率的准确测量,同时能够实现对测量数据进行存储及显示以及与PC机之间进行通信.
张洪涛黄杰王琰
关键词:血压检测嵌入式系统
一种气体毒性试验装置
本发明公开了一种气体毒性试验装置,属于毒理学研究技术领域;其包括:暴露腔体,包括内部含有环保绝缘气体的腔室本体以及多个接入管,所述接入管的一端与所述腔室本体固定连接且与所述腔室本体的内腔连通;约束组件,包括用于安置试验动...
刘伟黄杰程华龙张晓星田双双刘伟豪袁子安邓广宇
基于FPGA的医用生理信号处理系统的设计被引量:1
2009年
介绍了一种基于FPGA的医用生理信号处理系统.在FPGA中嵌入一个NIOSⅡ嵌入式微处理器作为控制核心,控制数据的接收、存储及相关处理.
张洪涛王琰黄杰
关键词:现场可编程门阵列数据处理
基于ARM嵌入式系统综合血压检测系统的研究与设计
随着信息技术、微电子技术、传感器技术、网络技术等的不断发展,嵌入式系统技术也得到了迅速的发展。于此同时,医疗电子行业在嵌入式技术的推动下也取得到了长足的发展。本文的主要工作就是对一种基于ARM嵌入式系统综合血压检测系统的...
黄杰
关键词:嵌入式系统医疗电子设备电子血压计
文献传递
用于垃圾填埋场底部边坡上的防渗衬垫系统及施工方法
本发明提供了一种用于垃圾填埋场底部边坡上的防渗衬垫系统及相应的施工方法。本发明所提供的防渗衬垫系统,其特征在于,包括:压实土壤保护层,多层压实土分层压实形成;土工格栅加筋层,铺设在压实土壤保护层上;GCL(膨润土防水垫)...
李丽华耿樟帅黄杰肖衡林马强叶建军陶高梁陈智胡智李俊鹏
混合键晶体中离子迁移导致的晶体自适应机制研究
2009年
分析了离子迁移过程中晶体的体积膨胀和收缩的问题。晶体在离子迁移过程中发生的变化一般可归纳为3个过程,即点源膨胀——塑性变形——弹性收缩过程,膨胀过程可以用点源弱冲击波模型来解释。正是由于存在这种波的作用,使一些晶体在一定尺寸区间产生弹塑性应变,从而变形,调整晶体形态和体积,使离子迁移能够进行。这一过程可以解释电极膜的破坏现象。同时,可以解释某些晶体的离子迁移导致的性能变化。
张洪涛宋玲黄杰王琰王洋袁峰毛宏飞
关键词:晶体
共1页<1>
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