宋玲
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：湖北工业大学电气与电子工程学院更多>>
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- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信天文地球更多>>
- 室温似单电子晶体管高电流分析
- 2009年
- 在实验中观察到纳米线金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)室温下出现Ⅰ-Ⅴ高电流似单电子库仑阻塞特性。分析了这一现象产生的机理,提出了似单电子库仑阻塞模型,认为纳米线晶体中的结构发生变化,造成特殊的"岛",电子在耦合机制的作用下,形成类似的库伯电子对,在"岛"上实现似单电子隧穿。这时,库仑阻塞效应的机制由单电子变成成对的多电子,这可造成充电能增大,在室温下隧穿。由于耦合电子对的出现,随栅压加大,使电子隧穿时,既可实现库仑阻塞,又使电流加大,室温下出现高电流台阶。
- 张洪涛许正望李利荣黄杰王琰宋玲
- 关键词：单电子晶体管电子对
- 混合键晶体中离子迁移导致的晶体自适应机制研究
- 2009年
- 分析了离子迁移过程中晶体的体积膨胀和收缩的问题。晶体在离子迁移过程中发生的变化一般可归纳为3个过程,即点源膨胀——塑性变形——弹性收缩过程,膨胀过程可以用点源弱冲击波模型来解释。正是由于存在这种波的作用,使一些晶体在一定尺寸区间产生弹塑性应变,从而变形,调整晶体形态和体积,使离子迁移能够进行。这一过程可以解释电极膜的破坏现象。同时,可以解释某些晶体的离子迁移导致的性能变化。
- 张洪涛宋玲黄杰王琰王洋袁峰毛宏飞
- 关键词：晶体
