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董跃刚

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：北京科技大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 3篇各向异性磁电...
  • 3篇磁电
  • 3篇磁电阻
  • 2篇坡莫合金
  • 2篇热稳定
  • 2篇热稳定性
  • 2篇溅射
  • 2篇感器
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 2篇磁传感器
  • 2篇磁性层
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米氧化物
  • 1篇晶化
  • 1篇交换偏置
  • 1篇交换偏置场
  • 1篇NIFE
  • 1篇MGO
  • 1篇插层

机构

  • 4篇北京科技大学

作者

  • 4篇董跃刚
  • 3篇李明华
  • 3篇于广华
  • 2篇冯春
  • 1篇刘洋
  • 1篇陈喜
  • 1篇游顺青

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种提高各向异性磁电阻坡莫合金薄膜热稳定性的方法
本发明涉及一种提高各向异性磁电阻坡莫合金薄膜热稳定性的方法，采用磁控溅射方法，溅射室本底真空度为1×10<Sup>-5</Sup>～9×10<Sup>-5</Sup>Pa，溅射前通入99.99%纯度氩气，溅射时氩气气压为...
李明华于广华董跃刚冯春
文献传递
一种提高各向异性磁电阻坡莫合金薄膜热稳定性的方法
本发明涉及一种提高各向异性磁电阻坡莫合金薄膜热稳定性的方法，采用磁控溅射方法，溅射室本底真空度为1×10<Sup>-5</Sup>～9×10<Sup>-5</Sup>Pa，溅射前通入99.99%纯度氩气，溅射时氩气气压为...
李明华于广华董跃刚冯春
文献传递
晶化纳米氧化物插层对各向异性磁电阻薄膜性能影响的研究
董跃刚
关键词：各向异性磁电阻晶化
NiFe/IrMn多层膜制备及MgO掺杂研究被引量：2
2012年
采用磁控溅射制备了Ta/NiFe/IrMn/Ta薄膜,研究了反铁磁IrMn的溅射功率和铁磁层NiFe厚度对多层膜交换偏置场的影响。在反铁磁IrMn中插入MgO,发现MgO含量对交换偏置场有一定影响。随着MgO含量的增加,多层膜的交换偏置场逐渐增大,当MgO的含量约为2.5%交换偏置场达到最大值。随着MgO含量进一步增加交换偏置场下降。在IrMn中插入适量的MgO可以有效地增加交换偏置场。
李明华游顺青刘洋陈喜董跃刚于广华
关键词：MGO掺杂交换偏置场
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