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陈喜

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：北京科技大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇垂直磁各向异...
  • 4篇磁各向异性
  • 3篇多层膜
  • 2篇随机存储器
  • 2篇自由程
  • 2篇物理化学
  • 2篇物理化学性质
  • 2篇化学性质
  • 2篇感器
  • 2篇NIFE
  • 2篇MGO
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 2篇磁传感器
  • 2篇磁性随机存储...
  • 2篇存储器
  • 1篇电输运
  • 1篇输运
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米多层膜

机构

  • 6篇北京科技大学

作者

  • 6篇陈喜
  • 5篇于广华
  • 3篇李明华
  • 1篇丁雷
  • 1篇张静言
  • 1篇刘洋
  • 1篇董跃刚
  • 1篇游顺青

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
界面电子结构对纳米多层膜磁性的影响研究
随着纳米尺度材料的发展,与尺寸、维度息息相关的表面、界面效应的研究一直是相关领域的热点。其中,由铁磁和反铁磁与非磁金属或氧化物界面组成的异质结纳米多层膜具有高的热稳定、高的磁电阻效应、高的磁光克尔效应、低的电流驱动磁化翻...
陈喜
关键词：垂直磁各向异性
文献传递
界面氧迁移对Pt/Co/MgO/Pt薄膜的垂直磁各向异性及界面结构的影响
本文利用磁控溅射,在Si/SiO2基片上生长了结构为Pt(3)/Co(tCo)/MgO(2)/Pt(3)(innm)的薄膜,其中tCo的变化范围为1～5 nm。利用振动样品磁强计测量薄膜的磁滞回线,利用高分辨透射电子显微...
陈喜于广华
文献传递
界面电子结构对NiFe/oxide异质结磁性及电输运性能的影响
由于退火过程中产生的高能量可能引发界面化学反应.此外不同氧化物中的氧空位的浓度和迁移速率不同.因而退火过程对于不同特性的氧化物与铁磁界面氧化态的改变仍然有待进一步研究.本工作主要研究了界面效应对具有不同电负性氧化物(Si...
刘倩倩陈喜张静言刘亦玮丁雷于广华
一种具有垂直磁各向异性的磁性薄膜材料及其制备方法
本发明涉及一种具有垂直磁各向异性的磁性薄膜材料及其制备方法，其薄膜结构：基片/（0.1～100nm）Ta和半金属元素的合金化合物/多层膜/（0.1～100nm）Ta和半金属元素（如B、Si、As、Sb、Te、Po）的合金...
李明华于广华陈喜施辉方帅
一种具有垂直磁各向异性的磁性薄膜材料及其制备方法
本发明涉及一种具有垂直磁各向异性的磁性薄膜材料及其制备方法，其薄膜结构：基片/（0.1～100nm）Ta和半金属元素的合金化合物/多层膜/（0.1～100nm）Ta和半金属元素（如B、Si、As、Sb、Te、Po）的合金...
李明华于广华陈喜施辉方帅
文献传递
NiFe/IrMn多层膜制备及MgO掺杂研究被引量：2
2012年
采用磁控溅射制备了Ta/NiFe/IrMn/Ta薄膜,研究了反铁磁IrMn的溅射功率和铁磁层NiFe厚度对多层膜交换偏置场的影响。在反铁磁IrMn中插入MgO,发现MgO含量对交换偏置场有一定影响。随着MgO含量的增加,多层膜的交换偏置场逐渐增大,当MgO的含量约为2.5%交换偏置场达到最大值。随着MgO含量进一步增加交换偏置场下降。在IrMn中插入适量的MgO可以有效地增加交换偏置场。
李明华游顺青刘洋陈喜董跃刚于广华
关键词：MGO掺杂交换偏置场
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