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杨仕谦

作品数：5 被引量：3H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中国科学院重大科研装备研制项目更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇存储器
  • 3篇电荷
  • 3篇俘获
  • 2篇有效电荷
  • 2篇闪存
  • 2篇隧穿
  • 2篇钛合金
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米晶
  • 2篇介电
  • 2篇介电常数
  • 2篇快闪存储器
  • 2篇合金
  • 2篇非挥发性存储...
  • 2篇浮栅
  • 2篇高介电常数
  • 2篇钨
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇退火

机构

  • 5篇中国科学院微...
  • 1篇安徽大学

作者

  • 5篇王琴
  • 5篇龙世兵
  • 5篇刘明
  • 5篇杨仕谦
  • 2篇刘璟
  • 1篇张满红
  • 1篇胡媛
  • 1篇陈军宁
  • 1篇杨潇楠
  • 1篇王永
  • 1篇代月花
  • 1篇李德君
  • 1篇郭婷婷

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2010
  • 3篇2009
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
钨钛合金纳米晶浮栅结构及其制备方法
本发明公开了一种用于快闪存储器的钨钛合金纳米晶浮栅结构，属于微电子技术领域。该结构包括硅衬底，以及在所述硅衬底上依次覆盖的氧化硅层、高介电常数薄膜、钨钛合金纳米晶电荷存储层、阻挡层以及栅材料层。本发明的结构提高了浮栅结构...
刘明杨仕谦王琴龙世兵
文献传递
钨钛合金纳米晶浮栅结构及其制备方法
本发明公开了一种用于快闪存储器的钨钛合金纳米晶浮栅结构，属于微电子技术领域。该结构包括硅衬底，以及在所述硅衬底上依次覆盖的氧化硅层、高介电常数薄膜、钨钛合金纳米晶电荷存储层、阻挡层以及栅材料层。本发明的结构提高了浮栅结构...
刘明杨仕谦王琴龙世兵
文献传递
高k介质在浮栅型非挥发性存储器中的应用被引量：2
2009年
随着微电子技术节点不断向前推进,基于传统浮栅结构的非挥发性存储器(NVM)技术遇到严重的技术难点,其中最主要的问题是SiO2隧穿层已经接近厚度极限,很难继续减薄。作为改进措施,引入高k介质作为新型隧穿层材料。文章介绍了高k材料的研究现状和在NVM器件中应用所取得的进展;最后,对高k介质进一步应用的研究趋势进行了展望。
刘璟王琴龙世兵胡媛杨仕谦郭婷婷刘明
关键词：非挥发性存储器
一种制作复合俘获层的方法
本发明公开了一种制作兼有氮化硅电荷俘获层及纳米晶电荷存储层的复合俘获层的方法，适用于制作复合电荷俘获机制的浮栅式存储器，该方法包括：A、采用反应溅射的方式在隧穿介质层上沉积含有氮的金属硅化物薄膜；B、对含有氮的金属硅化物...
刘明杨仕谦王琴龙世兵
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电荷俘获存储器中俘获层的研究进展被引量：2
2009年
随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧氮化硅(α-SiOxNy)俘获层、高k介质材料俘获层、植入纳米晶材料的俘获层及其叠层结构的研究现状和存在的问题进行了综述和分析,并对其进一步的研究趋势进行了展望。
李德君刘明龙世兵王琴张满红刘璟杨仕谦王永杨潇楠陈军宁代月花
关键词：高K材料
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