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张聪聪

作品数:7 被引量:9H指数:2
供职机构:天津理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:医药卫生理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇电化学
  • 4篇多巴
  • 4篇金刚石薄膜
  • 2篇电化学稳定性
  • 2篇电极
  • 2篇多巴胺
  • 2篇性能研究
  • 2篇循环伏安
  • 2篇循环伏安法
  • 2篇针状电极
  • 2篇生物探针
  • 2篇酸酶
  • 2篇探针
  • 2篇化学稳定性
  • 2篇伏安法
  • 2篇BDD
  • 1篇电化学生物传...
  • 1篇电化学性能
  • 1篇电势
  • 1篇生物传感

机构

  • 7篇天津理工大学
  • 2篇天津大学

作者

  • 7篇张聪聪
  • 6篇朱宁
  • 6篇尹振超
  • 5篇戴玮
  • 5篇曲长庆
  • 3篇吴小国
  • 3篇陈凯玉
  • 2篇张喻
  • 2篇申凤婷
  • 1篇张辉
  • 1篇戴伟
  • 1篇申风婷
  • 1篇姜啸宇

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
掺硼金刚石薄膜的制备及电化学性能研究
目前,化学气相沉积(CVD)硼掺杂金刚石具有良好的物理、化学特性,这使其非常适合作为新型电极材料。硼掺杂金刚石(BDD)既具有金刚石极高的硬度和化学稳定性的特性,还具有良好的导电性、低背景电流、宽电势窗口等优点。因此BD...
张聪聪
关键词:电化学性能L-半胱氨酸多巴胺抗坏血酸
修饰掺硼金刚石电极循环伏安法检测尿酸被引量:5
2013年
用直流等离子体喷射化学气相沉积(CVD)法制备掺硼金刚石(BDD)薄膜电极。通过扫描电镜(SEM)观察到薄膜表面分布均匀致密;霍尔测试仪检测薄膜的电阻率为0.023Ω.cm,载流子浓度为6.423×1019 cm-3;循环伏安法(CVa)测得其电极电势窗为3.4V;分析了浓度为10μmol/L的尿酸(UA)溶液在BDD电极表面的电化学响应,表明扫描速率的平方根与氧化峰电流呈线性关系。通过对比茜素黄、牛磺酸和L-半胱氨酸3种物质对BDD电极进行修饰,表明由L-半胱氨酸修饰BDD电极的电催化氧化能力最强;在浓度为1×10-7~1×10-4 mol/L范围内,浓度的对数与氧化峰电流呈线性关系,且检测限为1×10-8 mol/L。实验结果表明,20倍浓度的葡萄糖和抗坏血酸对UA的检测不构成影响。
陈凯玉朱宁戴玮张聪聪尹振超吴小国
一种硅基纳米金刚石薄膜的制备方法
一种硅基纳米金刚石薄膜的制备方法,采用直流等离子喷射CVD制备,步骤如下:1)刻制圆柱体型石墨基台,并在其上表面中心刻出圆形凹槽;2)用金刚石微粉在硅片表面产生划伤和缺陷;3)在真空条件下通入反应气体在硅片上沉积纳米金刚...
朱宁张聪聪戴伟曲长庆吴小国尹振超
文献传递
一种用于检测多巴胺的掺硼金刚石薄膜电极的制备方法
一种用于检测多巴胺的掺硼金刚石薄膜电极的制备方法,以尖端状钨丝作为基底,在钨丝上沉积掺硼金刚石薄膜,并对金刚石薄膜表面氨基活化处理,然后在掺硼金刚石薄膜上直接制备络氨酸酶修饰层,钨丝通过银膏与导线相连;该掺硼金刚石薄膜电...
朱宁张聪聪戴玮曲长庆尹振超申凤婷陈凯玉张喻
文献传递
直流电弧等离子体喷射CVD硼掺杂金刚石薄膜的制备及电化学性能研究被引量:4
2012年
采用直流电弧等离子体喷射CVD(Chemical Vapor Deposition)法在硅(100)衬底上制备了(111)占优的掺硼金刚石(BDD)薄膜,研究了压强对薄膜生长的影响,在压强为5500 Pa时得到了(100)占优的金刚石薄膜,并用SEM、XRD及拉曼光谱分析了薄膜的表面形貌、晶体结构、薄膜品质。测试结果表明,掺硼金刚石膜具有较好的成膜质量。霍尔测试表明BDD的电阻率为0.0095Ω.cm,载流子浓度为1.1×1020cm-3;研究了BDD薄膜电极在硫酸钠空白底液、铁氰化钾/亚铁氰化钾溶液和多巴胺溶液中的循环伏安曲线(CVs),发现该金刚石薄膜电极在硫酸钠中具有较宽的电化学窗口(约为4 V)、接近零的背景电流和良好的可逆性,利用BDD电极检测多巴胺溶液,具有明显的氧化还原峰值和较好的稳定性。结果表明利用该方法制备的BDD电极在电化学检测方面具有明显的优势。
张聪聪戴玮朱宁尹振超吴小国曲长庆
关键词:循环伏安法多巴胺
一种用于检测多巴胺的掺硼金刚石薄膜电极的制备方法
一种用于检测多巴胺的掺硼金刚石薄膜电极的制备方法,以尖端状钨丝作为基底,在钨丝上沉积掺硼金刚石薄膜,并对金刚石薄膜表面氨基活化处理,然后在掺硼金刚石薄膜上直接制备络氨酸酶修饰层,钨丝通过银膏与导线相连;该掺硼金刚石薄膜电...
朱宁张聪聪戴玮曲长庆尹振超申凤婷陈凯玉张喻
一种基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极
一种基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极,由硼掺杂金刚石薄膜、氨基单分子层和酶膜层构成;其制备方法是:首先将钽片经表面预处理后,利用热丝CVD设备在钽片上沉积掺硼金刚石薄膜,然后对掺硼金刚石薄膜进行氨基化修饰,最...
朱宁申风婷姜啸宇曲长庆张辉戴玮张聪聪尹振超
文献传递
共1页<1>
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