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尹振超

作品数:18 被引量:12H指数:2
供职机构:天津理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信医药卫生电气工程更多>>

文献类型

  • 14篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇太阳光
  • 8篇太阳光谱
  • 8篇光谱
  • 6篇电池
  • 6篇太阳电池
  • 5篇衬底
  • 4篇电化学
  • 4篇载流子
  • 4篇载流子迁移率
  • 4篇迁移率
  • 4篇金刚石薄膜
  • 4篇薄膜太阳电池
  • 3篇多巴
  • 3篇铟镓氮
  • 3篇抗辐射
  • 3篇光伏器件
  • 3篇SUB
  • 3篇
  • 3篇
  • 3篇X

机构

  • 18篇天津理工大学
  • 2篇天津大学
  • 1篇天津电源研究...

作者

  • 18篇尹振超
  • 10篇朱亚东
  • 10篇宋殿友
  • 10篇薛玉明
  • 7篇潘宏刚
  • 7篇冯少君
  • 7篇张嘉伟
  • 7篇朱宁
  • 7篇刘君
  • 7篇刘浩
  • 7篇辛治军
  • 6篇张聪聪
  • 5篇戴玮
  • 5篇曲长庆
  • 3篇牛伟凯
  • 3篇吴小国
  • 3篇周凯
  • 3篇潘洪刚
  • 3篇汪子涵
  • 3篇王金飞

传媒

  • 2篇光电子.激光
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2014
  • 11篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种硅基纳米金刚石薄膜的制备方法
一种硅基纳米金刚石薄膜的制备方法,采用直流等离子喷射CVD制备,步骤如下:1)刻制圆柱体型石墨基台,并在其上表面中心刻出圆形凹槽;2)用金刚石微粉在硅片表面产生划伤和缺陷;3)在真空条件下通入反应气体在硅片上沉积纳米金刚...
朱宁张聪聪戴伟曲长庆吴小国尹振超
文献传递
一种电子型氮化镓n-GaN薄膜及其制备方法
一种电子型氮化镓n-GaN薄膜,其化学分子式为GaN,导电类型为n型,即Si掺杂电子型,厚度为0.6-1μm;其制备方法是:在MOCVD沉积系统的进样室中,对衬底表面进行表面等离子体清洗,然后在沉积室中采用MOCVD工艺...
薛玉明宋殿友潘宏刚朱亚东刘君尹富红辛治军冯少君尹振超张嘉伟刘浩
文献传递
CIGS薄膜太阳电池窗口层的制备和特性研究
本文的主要内容就是采用磁控溅射方法在室温条件下制备大面积(30cm×30cm) ZnO窗口层薄膜,改变实验条件研究工艺参数对薄膜特性的影响,优化窗口层薄膜的制备工艺,以期改善CIGS太阳电池组件的性能。   高阻ZnO...
尹振超
关键词:CIGS薄膜太阳电池工作气压光学特性
一种基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极
一种基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极,由硼掺杂金刚石薄膜、氨基单分子层和酶膜层构成;其制备方法是:首先将钽片经表面预处理后,利用热丝CVD设备在钽片上沉积掺硼金刚石薄膜,然后对掺硼金刚石薄膜进行氨基化修饰,最...
朱宁申风婷姜啸宇曲长庆张辉戴玮张聪聪尹振超
文献传递
修饰掺硼金刚石电极循环伏安法检测尿酸被引量:5
2013年
用直流等离子体喷射化学气相沉积(CVD)法制备掺硼金刚石(BDD)薄膜电极。通过扫描电镜(SEM)观察到薄膜表面分布均匀致密;霍尔测试仪检测薄膜的电阻率为0.023Ω.cm,载流子浓度为6.423×1019 cm-3;循环伏安法(CVa)测得其电极电势窗为3.4V;分析了浓度为10μmol/L的尿酸(UA)溶液在BDD电极表面的电化学响应,表明扫描速率的平方根与氧化峰电流呈线性关系。通过对比茜素黄、牛磺酸和L-半胱氨酸3种物质对BDD电极进行修饰,表明由L-半胱氨酸修饰BDD电极的电催化氧化能力最强;在浓度为1×10-7~1×10-4 mol/L范围内,浓度的对数与氧化峰电流呈线性关系,且检测限为1×10-8 mol/L。实验结果表明,20倍浓度的葡萄糖和抗坏血酸对UA的检测不构成影响。
陈凯玉朱宁戴玮张聪聪尹振超吴小国
一种电子型氮铟镓n-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜及其制备
一种电子型氮铟镓n-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜,化学分子式为In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N,式中x为0.05-0.3,导电类型为n型,即Si掺杂电子...
薛玉明潘宏刚宋殿友朱亚东刘君辛治军冯少君尹振超张嘉伟刘浩尹富红
文献传递
一种n-p-衬底型铟镓氮多层薄膜结构光伏器件及制备
一种n-p-衬底型铟镓氮多层薄膜结构光伏器件,由衬底、p-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜和n-In<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1-y</Sub>N薄膜依次叠加构成,所述p-I...
薛玉明王金飞宋殿友潘洪刚朱亚东尹振超谭炳尧狄海荣周凯李石亮辛志军汪子涵裴涛王一牛伟凯蓝英杰
文献传递
一种用于检测多巴胺的掺硼金刚石薄膜电极的制备方法
一种用于检测多巴胺的掺硼金刚石薄膜电极的制备方法,以尖端状钨丝作为基底,在钨丝上沉积掺硼金刚石薄膜,并对金刚石薄膜表面氨基活化处理,然后在掺硼金刚石薄膜上直接制备络氨酸酶修饰层,钨丝通过银膏与导线相连;该掺硼金刚石薄膜电...
朱宁张聪聪戴玮曲长庆尹振超申凤婷陈凯玉张喻
文献传递
一种p-n-衬底型铟镓氮多层薄膜结构光伏器件及制备
一种p-n-衬底型铟镓氮多层薄膜结构光伏器件,由衬底、n-In<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1-y</Sub>N薄膜和p-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜依次叠加构成,所述n-I...
薛玉明裴涛潘洪刚宋殿友朱亚东汪子涵张衷维王一牛伟凯辛志军尹振超王金飞周凯李石亮姜舒博杨醒
直流电弧等离子体喷射CVD硼掺杂金刚石薄膜的制备及电化学性能研究被引量:4
2012年
采用直流电弧等离子体喷射CVD(Chemical Vapor Deposition)法在硅(100)衬底上制备了(111)占优的掺硼金刚石(BDD)薄膜,研究了压强对薄膜生长的影响,在压强为5500 Pa时得到了(100)占优的金刚石薄膜,并用SEM、XRD及拉曼光谱分析了薄膜的表面形貌、晶体结构、薄膜品质。测试结果表明,掺硼金刚石膜具有较好的成膜质量。霍尔测试表明BDD的电阻率为0.0095Ω.cm,载流子浓度为1.1×1020cm-3;研究了BDD薄膜电极在硫酸钠空白底液、铁氰化钾/亚铁氰化钾溶液和多巴胺溶液中的循环伏安曲线(CVs),发现该金刚石薄膜电极在硫酸钠中具有较宽的电化学窗口(约为4 V)、接近零的背景电流和良好的可逆性,利用BDD电极检测多巴胺溶液,具有明显的氧化还原峰值和较好的稳定性。结果表明利用该方法制备的BDD电极在电化学检测方面具有明显的优势。
张聪聪戴玮朱宁尹振超吴小国曲长庆
关键词:循环伏安法多巴胺
共2页<12>
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