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代晓光

作品数：4 被引量：5H指数：2
供职机构：天津工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇波导
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇电极
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅栅
  • 1篇压控
  • 1篇压控振荡器
  • 1篇氧化硅
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇振荡器
  • 1篇上光
  • 1篇双层膜
  • 1篇隧穿
  • 1篇金属
  • 1篇金属电极
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇互补型金属氧...
  • 1篇互连

机构

  • 4篇天津工业大学
  • 1篇天津大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 4篇牛萍娟
  • 4篇代晓光
  • 3篇郭维廉
  • 2篇刘宏伟
  • 2篇王伟
  • 2篇王彩凤
  • 2篇杨广华
  • 2篇陈弘达
  • 1篇于欣
  • 1篇李晓云
  • 1篇李欢
  • 1篇毛陆虹
  • 1篇张宇
  • 1篇王伟

传媒

  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
硅基发光与探测共用器件及其构成的光互连系统
本发明公开一种与标准CMOS工艺完全兼容的硅基发光与探测共用器件及其构成的单片集成光互连系统，其特征在于，包括：利用同一硅基器件，在PN结正向注入模式时可实现光发射，在PN结反向耗尽的模式可实现光探测；该器件结构采用N<...
牛萍娟王伟代晓光郭维廉李晓云杨广华王彩凤
文献传递
全硅片上光互连用波导被引量：2
2006年
较详细地分析了用于全硅片上光互连所用光波导(如多晶Si/SiO_2、Si/SiO_2、Si_3N_4/SiO_2)需满足的基本条件、制作方法以及损耗机制,总结了目前的研究进展。
代晓光牛萍娟张宇陈弘达毛陆虹郭维廉
关键词：光电子集成
由RTD/MOSFET构成的压控振荡器的设计与实现被引量：3
2007年
提出了一种基于负阻器件共振隧穿二极管(RTD)与MOSFET结合的新型压控振荡器(VCO),并利用了高级设计系统(ADS)软件对该振荡器的可行性进行了电路仿真,利用分立RTD、MOSFET器件实现了此种VCO,实际调频范围在20～26 MHz之间。RTD与三端器件的连接方式不同可呈现不同的调制I-V特性,这种调制特性对基于RTD的振荡电路的频率也会产生影响。通过深入研究这种调制对振荡电路频率产生的影响,得到多种不同于常规方法的电压控制频率方式,其中一些具有很好的线性度。因此该电路的研究对于RTD在高频、高速振荡电路中的进一步应用具有重要意义。
牛萍娟王伟郭维廉刘宏伟杨广华于欣代晓光
关键词：压控振荡器共振隧穿二极管
一种进行电极剥离的方法
本发明一种进行电极剥离的方法，采用氮化硅和二氧化硅组成的双层膜技术，利用溅射剥离工艺实现金属电极的制作，属于光通讯领域以及半导体领域。本发明利用氮化硅与二氧化硅在缓冲二氧化硅腐蚀液(BOE)中腐蚀选择比高的特点，形成钻蚀...
牛萍娟代晓光王伟李欢王彩凤刘宏伟陈弘达
文献传递
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