王新建
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
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- 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文)被引量：2
- 2012年
- 通过直流磁控反应溅射装置,在蓝宝石(0001)衬底和氮化的蓝宝石(0001)衬底上成功制备了氮化铝(AIN)薄膜。利用X射线衍射仪、原子力学显微镜和双光束扫描分光计,研究了蓝宝石氮化对AIN薄膜结构、应力、晶粒尺寸、形貌和光学性质的影响。X射线衍射研究表明:制备的AIN薄膜具有较强的(0002)择优取向,蓝宝石衬底的氮化不仅能够改善AIN结晶质量,而且还可以减少薄膜的残余应力。但是,原子力学显微镜结果表明:在蓝宝石衬底上制备的AIN薄膜的晶粒大小分布比在氮化的蓝宝石衬底上制备的AIN薄膜的晶粒大小分布更加均匀。我们认为,蓝宝石衬底在氮化的过程中形成的AIN具有过多的位错和缺陷,正是这些位错和缺陷造成了在氮化的蓝宝石衬底上制备的AIN薄膜的晶粒大小分布的不均匀性。吸收光谱显示:蓝宝石衬底的氮化并没有对AIN薄膜的光学性质产生明显的改善。
- 王新建宋航黎大兵蒋红李志明缪国庆孙晓娟陈一仁贾辉
- 关键词：光吸收表面形貌
- AlN薄膜生长与X-射线探测研究
- AlN是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。同其它半导体材料相比,AlN具有很多优良的物理与化学性质。作为直接跃迁型半导体材料的AlN不仅具有高的热导率、高的热稳定性、强的击穿电压、宽的禁带宽度、高的表面声学波速度,而且...
- 王新建
- 关键词：ALN直流反应磁控溅射热扩散
- GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文)
- 2012年
- 通过直流磁控反应溅射制备了氮化铝(AlN)薄膜,研究了沉积条件与氮化镓(GaN)缓冲层对薄膜质量的影响。利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的晶体结构和表面形貌。XRD研究结果表明,低工作压强、短靶距和适当的氮气偏压有利于(002)择优取向的AlN薄膜沉积。随着沉积时间的增加,沉积在50 nm厚的GaN缓冲层上的AlN薄膜的(002)面的衍射峰的半高宽急剧减小,而沉积在1μm厚的GaN薄膜上的AlN薄膜的(002)面的衍射峰的半高宽几乎不变。SEM测试结果表明:在沉积的初期,沉积在1μm厚的GaN薄膜上的AlN薄膜的(002)面的晶粒大小分布比沉积在50 nm厚的GaN缓冲层上的AlN薄膜的均匀,而随着沉积时间的增加,它们的晶粒大小分布几乎趋向一致。
- 王新建宋航黎大兵蒋红李志明缪国庆陈一仁孙晓娟
- 关键词：ALNGAN缓冲层晶体结构晶粒尺寸
- 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文)被引量：1
- 2012年
- 采用热扩散方法,对AlN薄膜进行了Si掺杂。利用电子能量散射谱(EDS)以及高温变温电导对薄膜进行了分析。EDS测试结果表明:在1 250℃的温度下,氮化硅(SiNx)作为Si的扩散源,可以实现对AlN薄膜的Si热扩散掺杂。高温电流-电压(I-V)测试表明:在460℃测试温度下,AlN薄膜在热扩散掺杂以后,其电导从1.9×10-3S.m-1增加到2.1×10-2S.m-1。高温变温电导测试表明:氮空位(V3N+)和Si在AlN中的激活能为1.03 eV和0.45 eV。
- 王新建宋航黎大兵蒋红李志明缪国庆陈一仁孙晓娟
- 关键词：氮化物热扩散
