韩金华
- 作品数：37 被引量：32H指数：3
- 供职机构：中国原子能科学研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国原子能科学研究院院长基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学核科学技术航空宇航科学技术电子电信更多>>
- 总剂量效应协同影响下的器件单粒子效应错误率预估方法
- 本发明涉及总剂量效应协同影响下的器件单粒子效应错误率预估方法，计算电子器件在工作期间所受的总电离剂量，对其开展总剂量效应对单粒子效应的影响试验，获取不同剂量下的重离子SEE截面及拟合曲线；计算航天器所在空间轨道的重离子L...
- 韩金华郭刚张付强张峥陈启明
- 一种重离子微束定位方法及用于该方法的芯片
- 本发明属于重离子微束辐照技术领域，具体涉及一种重离子微束定位方法及用于该方法的芯片。包括在芯片内设定一个具有至少一对竖直边缘、水平边缘的定位测试电路，定位测试电路的边缘内部为敏感区域，重离子微束入射到敏感区域都能够产生单...
- 柳卫平欧阳晓平史淑廷郭刚陈泉惠宁蔡莉沈东军张艳文刘建成韩金华覃英参郭红霞李丽丽
- 文献传递
- 100 MeV质子束流品质诊断及剂量测量准确性评估方法研究被引量：1
- 2020年
- 质子辐射生物学效应是太空放射生物学和质子束放疗研究的重要基础,可为空间环境下人员的危险性评估以及质子治疗优化设计提供科学依据。依托加速器建立相应的生物样本辐照技术是开展此类研究的前提条件。中国原子能科学研究院最近建立的100 MeV强流质子回旋加速器提供的中能质子束流为目前国内能量最高,特别适合用于太空放射生物学和质子治疗相关研究。本研究中,利用在束和离线等多种手段建立了中能质子束流诊断和剂量测量方法,对加速器引出的100 MeV质子照射野大小、均匀性等束流品质以及剂量测量系统准确性进行了分析和评估。结果表明,对光子剂量响应好的LiF(Mg,Ti)热释光探测器,对90 MeV质子同样具有良好的剂量响应关系,可作为中能质子剂量准确性评估的手段之一。在5.0 cm×5.0 cm照射野范围内,加速器引出的100 MeV质子束流的均匀性好于90%,在线剂量测量系统准确性好于93%,束流品质和剂量测量条件基本满足辐射生物学的要求,可为质子辐射生物学效应研究的开展提供可靠保障。
- 王巧娟隋丽龚毅豪孔福全孔福全张艳文刘建成
- 关键词：中能质子热释光探测器质子治疗
- 100MeV质子双环双散射体扩束方案设计被引量：6
- 2019年
- 为满足质子单粒子效应实验对大面积、均匀化质子束流的需求,针对中国原子能科学研究院100 MeV质子回旋加速器提供的100 MeV质子进行了双环双散射体扩束方案设计.Geant4模拟表明该方案可在2.4 m位置产生一个均匀性为±1.89%、半径为8 cm的照射野,在5 m位置产生一个均匀性为±5.32%、半径为20 cm的照射野.此外,利用Geant4对双环双散射体扩束方法的基本原理进行了进一步探索,并对第二散射体后加速器管道、初始束斑尺寸、照射野形成距离、改变入射质子能量等实际中各种可能因素对该方案扩束效果的影响进行了讨论.
- 韩金华郭刚刘建成隋丽孔福全肖舒颜覃英参张艳文
- 关键词：单粒子效应扩束均匀性
- 一种重离子微束定位方法及用于该方法的芯片
- 本发明属于重离子微束辐照技术领域，具体涉及一种重离子微束定位方法及用于该方法的芯片。包括在芯片内设定一个具有至少一对竖直边缘、水平边缘的定位测试电路，定位测试电路的边缘内部为敏感区域，重离子微束入射到敏感区域都能够产生单...
- 柳卫平欧阳晓平史淑廷郭刚陈泉惠宁蔡莉沈东军张艳文刘建成韩金华覃英参郭红霞李丽丽
- 100 MeV质子降能材料的选择研究
- 2020年
- 降能器对于提升质子单粒子效应(SEE)地面模拟试验的效率具有重要意义,而降能材料的选择是降能器设计中的首要问题。计算了100 MeV质子在4种常见降能材料铍、石墨、铝、铜中产生的能量岐离、角度岐离、中子本底以及感生放射性等对质子SEE地面模拟试验有影响的4个方面,其中感生放射性的计算中包含了降能过程在材料中产生的放射性核素种类、活度及残余剂量率。根据以上计算结果,并结合质子SEE地面模拟试验的要求,在降低相同的能量这一情况下,对4种材料作为100 MeV质子降能材料的适用性进行了分析比较,最终选择铝作为100 MeV质子的降能材料,并将应用在中国原子能科学研究院100 MeV质子回旋加速器的质子SEE地面模拟试验装置的降能器设计中。
- 韩金华覃英参郭刚张艳文
- 关键词：感生放射性
- 65nm三阱CMOS静态随机存储器多位翻转实验研究
- 2017年
- 利用4种不同线性能量转换值的重离子对一款65nm三阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转图形、位置和事件数与器件结构布局结合对器件单粒子翻转截面、单粒子事件截面及多位翻转机理进行深入分析。结果表明,单粒子事件截面大于单个存储单元内敏感结点面积,单粒子翻转截面远大于单个存储单元面积。多位翻转事件数和规模的显著增长导致单粒子翻转截面远大于单粒子事件截面,多位翻转成为SRAM单粒子翻转的主要来源。结合器件垂直阱隔离布局及横向寄生双极晶体管位置,分析得到多位翻转主要由PMOS和NMOS晶体管的双极效应引起,且NMOS晶体管的双极效应是器件发生多位翻转的主要原因。
- 李丽丽郭刚蔡莉池雅庆刘建成史淑廷惠宁韩金华
- 关键词：静态随机存储器重离子
- 半导体器件内离子有效LET值测量方法研究
- 2018年
- 提出了一种基于电荷收集测试技术的离子有效LET值测量方法.首先对半导体器件内收集电荷量与入射离子有效LET值之间的关系进行了分析,根据二者之间的关系提出通过测量电荷收集量从而测量离子有效LET值的方法;然后建立了半导体器件电荷收集测试系统,利用PN结和SRAM对测量方法进行了验证;最后成功利用该方法解释了以往单粒子效应实验中出现的数据异常.
- 史淑廷郭刚刘建成蔡莉陈泉沈东军惠宁张艳文覃英参韩金华陈启明张付强殷倩肖舒颜
- 关键词：单粒子效应电荷收集SRAM
- 碳化硅结势垒肖特基二极管的质子辐射效应
- 2022年
- 碳化硅结势垒肖特基二极管(SiC JBS)是新一代航天器电推进系统的关键部件,但高能粒子辐射严重威胁其可靠性与稳定性。为揭示其辐射损伤机理,为其抗辐射加固设计与考核评估储备数据,本研究基于加速器开展了先进商用SiC JBS 10~20 MeV中能质子地面辐照实验,并提取器件辐照前后的正向伏安特性、反向伏安特性、电容电压等电学参数及缺陷特性。系统分析器件关键特性随辐照条件的改变规律。结果显示,质子辐照引起了器件肖特基势垒升高、载流子浓度降低,且10 MeV较低能质子导致的位移损伤退化更严重。分析认为,PN结界面缺陷导致高性能商用SiC JBS反向电学性能对中能质子的辐照更加敏感,正向特性相对稳定,辐照生碳缺陷造成载流子去除效应是引起SiC JBS性能退化的主要机制。
- 刘翠翠郭刚李治明殷倩张艳文刘建成韩金华张峥张付强陈启明
- 高能电子单粒子效应模拟实验研究被引量：3
- 2019年
- 本文基于2 MeV自屏蔽电子加速器和10 MeV电子直线加速器,开展了电子单粒子效应实验研究,并分析了其机理。在保持入射电子能量不变的情况下,在±20%范围内改变器件的工作电压进行了单粒子翻转实验。实验结果表明:45 nm SRAM(额定工作电压1.5 V)芯片在电子直线加速器产生的高能电子照射下能产生明显的单粒子翻转,单粒子翻转截面随入射电子能量的变化趋势与文献数据相符合;电子引起的单粒子翻转截面随器件工作电压的变化趋势与理论预期一致,即工作电压越小,单粒子翻转临界电荷越小,翻转截面也越高。
- 许北燕郭刚曾自强杨京鹤韩金华
- 关键词：高能电子单粒子效应电子加速器
