金硕
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划四川省科技支撑计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术动力工程及工程热物理更多>>
- CdCl_2/ZnCl_2退火对Cd_(1-x)Zn_xTe多晶薄膜性质的影响
- 2013年
- 使用真空共蒸发法沉积了Cd1-xZnxTe(CZT)多晶薄膜,在气相50%CdCl2+50%ZnCl2源以及气相ZnCl2源气氛下进行了不同温度、不同时间的退火处理,并对样品进行了X射线荧光(XRF)、扫描电镜(SEM)、透射谱和导电类型等性质测试。结果表明,使用50%CdCl2+50%ZnCl2混合源退火后,样品禁带宽度明显减小;使用ZnCl2源两步退火可得到膜面完整、晶粒显著增大以及禁带宽度无明显减小的CZT薄膜样品,退火温度及ZnCl2量对样品膜面形貌及电学性质有重要影响。
- 金硕王文武武莉莉曾广根李卫张静全黎兵冯良桓
- 关键词：太阳电池退火
- CdCl2 源退火对Cd1-xZnxTe 薄膜光学性质的影响
- 具有禁带宽度连续可调的性质,Cd1-xZnxTe 薄膜有望成为制备叠层太阳电池顶电池的理想材料.CdCl2 源退火处理是CdTe 薄膜太阳电池制备过程中重要的环节,本文采用真空蒸发的方法制备了Cd1-xZnxTe 薄膜,...
- 江洪超金硕武莉莉张静全李卫黎兵曾广根王文武冯良桓
- 关键词：CDCL2SOURCETHINFILMSANNEALINGPROPERTY
- 退火对Cd_(1-x)Zn_xTe薄膜性质的影响
- 2013年
- 本文用双源真空蒸发的方法制备了Cd1-xZnxTe薄膜,通过热探针、SEM、XRD及紫外-可见光透过谱等方法研究了不同退火条件对薄膜性质的影响.退火后Cd1-xZnxTe多晶薄膜的光学禁带宽度在1.54eV～1.68eV之间,且沿立方相(111)面择优生长.退火温度主要影响薄膜表面的粗糙度和平均晶粒尺寸,退火时间主要影响薄膜的平均晶粒尺寸.退火温度与时间对薄膜电学性质的影响较小.
- 江洪超金硕武莉莉张静全李卫黎兵曾广根王文武
- 关键词：退火
- 新型纳米复合材料背接触层研究
- 2013年
- 以CdTe太阳电池的新型纳米复合背接触层材料为研究对象,经过对复合材料组分配比、成膜方法及热处理工艺的优化,使这种新型材料用于CdTe背接触层后,开路电压、填充因子均得到显著提高,分别达到838.5mV和70.35%,转换效率达到14.05%。结果表明,该纳米复合背接触层材料值得进一步优化。
- 金硕武莉莉冯良桓曾广根王文武张静全李卫蔡亚平黎兵
- 关键词：纳米材料
