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张丹
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
供职机构:
上海交通大学材料科学与工程学院
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相关领域:
电子电信
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合作作者
李明
上海交通大学材料科学与工程学院
高立明
上海交通大学材料科学与工程学院
赵连城
哈尔滨工业大学
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赵连城
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张丹
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高立明
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李明
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半导体光电
年份
1篇
2015
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MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及其光学性能研究
被引量:1
2015年
系统研究了I类组分量子阱结构材料GaAs/AlGaAs的结构设计、材料表征及光学性能。利用分子束外延(MBE)技术生长量子阱材料,原子力显微镜(AFM)测量结果表明样品表面粗糙度达到10-1 nm数量级。X射线双晶衍射测试结果显示材料具备良好的生长质量及晶格完整性。室温光致发光谱探测出量子阱导带电子与价带轻重空穴的复合发光,及施主-受主(D-A)能级间距与GaAs禁带宽度。综合分析结果表明用MBE方法制备实现了与设计结构高度相符的GaAs/Al0.27Ga0.73As量子阱样品,为后期器件设计的精确实现提供了理论依据。
张丹
李明
高立明
赵连城
关键词:
GAAS/ALGAAS
光学性能
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