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蔡道明
作品数:
3
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供职机构:
中国电子科技集团第十三研究所
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
董毅敏
中国电子科技集团第十三研究所
高学邦
中国电子科技集团第十三研究所
周州
中国电子科技集团第十三研究所
赵永林
中国电子科技集团第十三研究所
郭亚娜
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InGaAs(InAlAs)/InP和InP/InAlAs湿法选择腐蚀研究
2005年
介绍了两种选择腐蚀液对InGaAs(InAlAs)I/nP和InPI/nAlAs异质结构材料选择腐蚀的实验结果,重点介绍在InAlAs上面生长InP的湿法选择腐蚀,用HClH∶3PO4C∶H3COOH系列腐蚀液,InPI/nAlAs选择比大于300。InPI/nAlAs湿法选择腐蚀的结果可以很好应用到OEIC芯片制作中,并取得了较好的器件及电路结果。
赵永林
蔡道明
周州
郭亚娜
刘跳
关键词:
选择比
光电子集成电路
一种提高毫米波GaN MMIC功率放大器三阶交调的电路
本发明提供了一种提高毫米波GaN MMIC功率放大器三阶交调的电路,包括:第一放大模块和第二放大模块;第一放大模块的输入端与射频输入口相连,用于接收射频输入信号;第一放大模块对射频输入信号进行第一级放大,获得第一三阶交调...
董毅敏
蔡道明
高学邦
邬佳晟
一种提高毫米波GaN MMIC功率放大器三阶交调的电路
本发明提供了一种提高毫米波GaN MMIC功率放大器三阶交调的电路,包括:第一放大模块和第二放大模块;第一放大模块的输入端与射频输入口相连,用于接收射频输入信号;第一放大模块对射频输入信号进行第一级放大,获得第一三阶交调...
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