您的位置： 专家智库 > >

李拂晓

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇迁移率
  • 1篇微波功率管
  • 1篇铝镓氮
  • 1篇内匹配
  • 1篇晶体管
  • 1篇功率管
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇ALGAN/...

机构

  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇四川大学

作者

  • 1篇龚敏
  • 1篇王帅
  • 1篇陈堂胜
  • 1篇李拂晓
  • 1篇陈辰
  • 1篇张斌

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
7.5～9.5GHz AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管被引量：3
2007年
报道了研制的1mm栅宽的AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管,在32V漏偏压下在7.5～9.5GHz频率范围内输出功率大于5W,功率附加效率典型值为30%,功率增益大于6dB,带内增益平坦度为±0.4dB,带内最大输出功率为6W。
王帅陈堂胜张斌李拂晓陈辰龚敏
关键词：高电子迁移率晶体管内匹配
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0