马娟娟
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 掺杂硫化铅体系的电子性质研究
- 2015年
- 基于密度泛函理论和广义梯度近似,对掺杂Pb S体系进行了电子性质的第一性原理计算.首先,对恒定掺杂浓度(6.25%)时3种替换杂质(Cd、Sn、Sb)不同掺杂位置的形成能进行比较分析,得到了最稳定的掺杂结构.然后,计算不同掺杂体系的能带结构,能带结构发生了平移,带隙随掺杂原子序数单调递减.最后,研究掺杂前后光学性质,光学性质的显著变化出现在Sb掺杂的Pb S体系中,主要包括介电光谱下杂质峰的出现、相关红移现象以及掺杂后吸收谱能带边缘的拓展.同时,Cd掺杂Pb S介电光谱的反射峰最小.
- 刘鹏李炜马娟娟
- 关键词：形成能光学性质
- 高压强下GaN的结构相变及电子结构的第一性原理研究被引量：2
- 2015年
- 基于密度泛函理论的平面波赝势方法,选择广义梯度近似(GGA)下的PBE算法-关联泛函对GaN晶体结构、能带结构以及电子态密度随压强的变化进行了研究,并计算出GaN材料的相变点压强值。研究结果表明:随着压强增加,常见的纤锌矿与闪锌矿GaN会发生结构相变成岩盐矿结构,并且其能带结构均由直接带隙转变成间接带隙。其中,通过焓相等原理得到纤锌矿到岩盐矿结构的相变压强为44.4GPa,而闪锌矿到岩盐矿结构的相变压强为43.6GPa。此外,随着压强增大,GaN纤锌矿、闪锌矿和岩盐矿的价带态密度均向低能方向偏移,而导带态密度向高能方向偏移,从而导致GaN共价性增强及带隙随压强增大而展宽。
- 李健翔符斯列蒋联娇马娟娟唐吉玉
- 关键词：第一性原理GAN结构相变电子结构
