冯林永
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：云南大学物理科学技术学院材料系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 溅射Ar^+能量对离子束溅射制备Ge薄膜结晶性的影响被引量：2
- 2007年
- 采用离子束溅射技术在不同Ar+能量下溅射Ge单层膜。用Raman光谱和AFM图谱对薄膜进行表征,得到Ge薄膜结晶性和晶粒大小随Ar+能量变化的波动性关系。在0.6keV的Ar+能量下,得到晶粒较小的Ge晶化薄膜,0.8keV能量下,Ge薄膜为非晶结构,1.0keV能量下,得到晶粒较大的Ge晶化薄膜。通过对沉积原子数与沉积原子能量的分析,解释了这一波动性变化。
- 宋超杨瑞东冯林永陈寒娴邓荣斌王国宁杨宇
- 关键词：离子束溅射
- 离子束溅射Si薄膜的低温晶化生长
- 2007年
- 采用离子束溅射技术,在低生长束流(4～10mA)范围内,对低温(25～300℃)Si薄膜的晶化进行了研究。由Raman和XRD表征分析得出:在300℃采用6mA的生长束流,可在硅衬底上得到结晶性和完整性较好的Si外延薄膜;25℃时,在硅衬底上得到Si薄膜的多晶结构,实现了Si薄膜的低温晶化生长。
- 宋超杨瑞东冯林永杨宇
- 关键词：SI薄膜离子束溅射束流
