朱振华
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 离子注入制备Si基GaSb量子点
- 2009年
- 利用离子注入法在Si(001)衬底上先后注入了Ga+和Sb+,注入能量分别为140,220 keV,注入剂量分别为8.2×1016,6.2×1016cm-2,然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了量子点材料.用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像.实验结果表明,经二次退火生长的量子点晶格结构和Si衬底损伤的修复要明显优于一次退火.
- 孟宪权肖虎朱振华
- 关键词：量子点离子注入
- 二次退火制备Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点被引量：1
- 2010年
- 利用离子注入法在一块Si(001)衬底上注入了In+和As+,注入能量分别为210keV,150keV,注入剂量6.2×1016cm-2,8.6×1016cm-2,另一块Si(001)衬底上注入Ga+和Sb+,注入能量分别为140keV,220keV,注入剂量分别为8.2×1016cm-2,6.2×1016cm-2,然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了Si基量子点材料。用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,用PL探测量子点的光致发光谱,发现经二次退火生长的量子点微晶格结构和Si衬底损伤的修复均明显优于一次退火。
- 肖虎孟宪权朱振华金鹏刘峰奇王占国
- 关键词：量子点离子注入
- 离子注入制备Si基InAs量子点
- 2010年
- 利用离子注入法在Si(001)片上先后注入了In+和As+,注入剂量为1.5×1017cm-2,注入能量分别为210和150keV,然后对样品经过退火处理制备出了量子点材料,用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了材料的截面像。
- 朱振华孟宪权肖虎
- 关键词：量子点离子注入退火透射电子显微镜
- ZnO单晶材料不同温度下光致发光性能研究被引量：1
- 2010年
- 对ZnO单晶材料不同温度下进行了光致发光研究。室温下ZnO单晶有两个发光峰,分别为375nm的紫外发光峰和570nm的可见光发光带。随着温度的降低,出现两个紫外发光峰,分别为自由激子(FX)和束缚激子(D0X)发光峰,并且束缚激子发光峰随着温度降低较自由激子变化明显。较低温度时在370nm到400nm出现多个发光峰,为声子(LO)参与的受主束缚激子(A0X)发光峰。10K时出现四个紫外发光峰,分别为自由激子(FX)、表面激子(SX)和束缚激子(D0X)发光峰。
- 夏威孟宪权刘文军朱振华
- 关键词：ZNO单晶光致发光
