肖虎
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 离子注入制备Si基InAs量子点
- 2010年
- 利用离子注入法在Si(001)片上先后注入了In+和As+,注入剂量为1.5×1017cm-2,注入能量分别为210和150keV,然后对样品经过退火处理制备出了量子点材料,用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了材料的截面像。
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- 关键词：量子点离子注入退火透射电子显微镜
- 二次退火制备Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点被引量：1
- 2010年
- 利用离子注入法在一块Si(001)衬底上注入了In+和As+,注入能量分别为210keV,150keV,注入剂量6.2×1016cm-2,8.6×1016cm-2,另一块Si(001)衬底上注入Ga+和Sb+,注入能量分别为140keV,220keV,注入剂量分别为8.2×1016cm-2,6.2×1016cm-2,然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了Si基量子点材料。用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,用PL探测量子点的光致发光谱,发现经二次退火生长的量子点微晶格结构和Si衬底损伤的修复均明显优于一次退火。
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- 关键词：量子点离子注入
- 离子注入制备Si基GaSb量子点
- 2009年
- 利用离子注入法在Si(001)衬底上先后注入了Ga+和Sb+,注入能量分别为140,220 keV,注入剂量分别为8.2×1016,6.2×1016cm-2,然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了量子点材料.用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像.实验结果表明,经二次退火生长的量子点晶格结构和Si衬底损伤的修复要明显优于一次退火.
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- 关键词：量子点离子注入
- 离子注入法制备Si基量子点被引量：3
- 2008年
- 利用离子注入法在Si(001)衬底上先后注入了In+和As-,注入能量分别为210,150keV,注入剂量分别为6.2×1016,8.6×1016cm-2,然后对样品经过退火处理制备出了量子点材料(为了避免沟道效应,注入角度选择为7°).用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,发现量子点的平均尺寸大小随退火温度和时间增加而增大.
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- 关键词：量子点离子注入透射电子显微镜退火
