2025年2月15日
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魏宏阳
作品数:
9
被引量:0
H指数:0
供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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发文基金:
中国科学院战略性先导科技专项
上海市科学技术委员会资助项目
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
陈一峰
中国科学院上海微系统与信息技术...
宋志棠
中国科学院上海微系统与信息技术...
蔡道林
中国科学院上海微系统与信息技术...
王月青
中国科学院上海微系统与信息技术...
卢瑶瑶
中国科学院上海微系统与信息技术...
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机构
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中国科学院
1篇
中国科学院大...
作者
9篇
蔡道林
9篇
宋志棠
9篇
陈一峰
9篇
魏宏阳
5篇
王月青
4篇
卢瑶瑶
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陈小刚
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方红波
传媒
1篇
电子元件与材...
年份
3篇
2018
4篇
2016
2篇
2015
共
9
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相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法
本发明提供一种相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法,所述单元的写初始化方法包括如下步骤:S1:采用初始化写脉冲操作相变存储器单元,在所述相变存储器单元中形成非晶区域;所述非晶区域大于相变存储器默认写脉冲产生...
王月青
蔡道林
陈一峰
宋志棠
魏宏阳
霍如如
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相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法
本发明提供一种相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法,所述单元的写初始化方法包括如下步骤:S1:采用初始化写脉冲操作相变存储器单元,在所述相变存储器单元中形成非晶区域;所述非晶区域大于相变存储器默认写脉冲产生...
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一种具有保持力测试功能的相变存储器
本发明提供一种具有保持力测试功能的相变存储器,包括:对行地址信号进行译码以开启存储阵列相应字线的行译码器单元;对列地址信号进行译码的列译码器单元;输出测试电压/电流信号的电压源/电流源单元;开启存储阵列中相应位线,并将测...
蔡道林
陈一峰
宋志棠
王月青
霍如如
魏宏阳
卢瑶瑶
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一种相变存储器及其恢复数据的方法
本发明提供一种相变存储器及其恢复数据的方法,包括:获取基准参考电阻值的预写相变存储单元;存储数据的正常访问相变存储单元;控制写入数据及读取数据的电学控制模块;控制温度的温度控制模块。在预写地址和正常访问地址中写入数据;改...
魏宏阳
陈一峰
蔡道林
宋志棠
陈小刚
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相变存储器失效时间分析
2015年
从保持力失效时间的角度出发,对相变存储器实施了保持力加速寿命实验。实验过程中发现,在比较高的温度下,随着测试时间的增长,存储器单元的RESET阻值会逐渐变小。这个现象符合Arrhenius模型。而且,温度越高,失效时间越短。不同初始RESET阻值条件下的阻值分布曲线也验证了通过增加非晶区域的有效体积可以改善保持力可靠性。不同存储器单元的失效时间分布也验证了一个假设:若在非晶区域中本来就存在晶粒,则晶粒生长重组会缩短失效时间;若是晶化过程发生在非晶区域和结晶区域的边界处,失效时间会明显增长。
魏宏阳
蔡道林
陈一峰
霍如如
宋志棠
关键词:
相变存储器
RESET
温度
阻值
晶粒生长
一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法
本发明提供一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法,所述相变存储器至少包括:相变存储单元阵列;写擦驱动模块,与所述相变存储单元阵列相连,用于产生和输出写操作和擦操作电流信号;操作次数比较器,与所述写擦驱动模块相连,用于监...
霍如如
蔡道林
陈一峰
魏宏阳
方红波
卢瑶瑶
宋志棠
文献传递
一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构
本发明提供一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构,所述结构至少包括:相变基体材料层和形成在所述相变基体材料层中心区域的掺杂层。通过使中心区域的掺杂层结晶温度升高,来抑制非晶态的中心区域在小电流干扰下结晶,从而提高相...
卢瑶瑶
蔡道林
陈一峰
宋志棠
王月青
魏宏阳
霍如如
文献传递
一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构
本发明提供一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构,所述结构至少包括:相变基体材料层和形成在所述相变基体材料层中心区域的掺杂层。通过使中心区域的掺杂层结晶温度升高,来抑制非晶态的中心区域在小电流干扰下结晶,从而提高相...
卢瑶瑶
蔡道林
陈一峰
宋志棠
王月青
魏宏阳
霍如如
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一种相变存储器及其恢复数据的方法
本发明提供一种相变存储器及其恢复数据的方法,包括:获取基准参考电阻值的预写相变存储单元;存储数据的正常访问相变存储单元;控制写入数据及读取数据的电学控制模块;控制温度的温度控制模块。在预写地址和正常访问地址中写入数据;改...
魏宏阳
陈一峰
蔡道林
宋志棠
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