刘娟
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 共面型GaAs光导开关的击穿特性研究被引量：1
- 2009年
- 用ANSYS软件对暴露在空气中共面型GaAs光导开关进行了模拟仿真,根据其电场分布在X方向和Y方向的剖面图可以看出:在GaAs表面、电极、空气隙3种介质的交界面是极易发生击穿的区域,特别在电极的拐角部位。对用空气和Si3N4介质包覆开关表面时的电流分布进行了模拟比较,给出了X方向剖面图,结果表明:经Si3Ni4薄膜保护的GaAs光导开关的耐压能力可提高2个数量级。对设计制作的3 mm间隙共面型GaAs光导开关进行了耐压试验研究,分别采用绝缘油、绝缘胶对光导开关进行了绝缘保护,并结合介质击穿理论对试验结果进行了分析。模拟和试验结果表明:适当的绝缘保护可以有效提高耐压特性,使绝缘强度达4 kV/mm。
- 刘娟李寅鑫苏伟时世泰
- 关键词：击穿特性ANSYS模拟绝缘保护
- 大间隙GaAs光导天线的太赫兹辐射频谱特性被引量：4
- 2011年
- 从麦克斯韦方程出发,采用电涌模型对用飞秒激光触发大间隙光导天线产生的太赫兹脉冲远场辐射特性进行研究。文章分析了大间隙GaAs光电导天线的天线电极形状和参数、天线间隙对产生的THz脉冲频谱特性的影响。用制作不同间隙、天线形状的光导天线进行产生THz辐射的实验,仿真实验结果表明:大间隙光导天线的带宽为0.1 THz～2 THz,不同的电极形状主要影响1 THz～2 THz频段内的THz信号幅值;间隙更小的光导天线的频谱带宽稍宽,而且在1 THz以上的高频段信号略高一些。
- 刘娟张照云李寅鑫高杨
- 关键词：太赫兹辐射光电导天线
- GaAs光导开关暗态击穿原因分析被引量：2
- 2008年
- 光导开关（PCSS）在暗态耐压测试中耐压值低于理论值。根据GaAs材料特性，分析了暗态下光导开关的击穿机理。指出碰撞电离与电流控制负微分迁移率交应是导致开关击穿的直接原因。使用Silvaco半导体仿真软件对模型进行了模拟计算，结果表明温度显著影响电场、载流子浓度分布，引起碰撞电离等将就加剧，造成器件耐压值偏低。仿真结果与实验值基本相近，室温下耐压水平为33-40kV/cm。光导开关击穿特性与温度密切相关，改善光导开关散热条件可提高开关耐压水平。
- 李寅鑫苏伟刘娟
- 关键词：光导开关击穿温度
- 异面结构GaAs光导开关耐压特性研究被引量：3
- 2009年
- 光导开关用于产生高功率脉冲,提高光导开关的耐压能力可有效提高器件的输出功率。用SILVACO软件对共面和异面电极结构的GaAs光导开关进行了仿真分析,比较了两者的击穿电压,指出异面开关耐压性能优于共面开关。对设计制作的3mm间隙宽度的GaAs光导开关进行了耐压特性试验,并结合模拟结果进行分析。模拟结果和试验结果表明:和共面电极结构相比,异面结构的光导开关具有更高的耐压能力,击穿电场可达7.67 kV/mm。
- 李寅鑫苏伟刘娟
- 关键词：光导开关耐压特性
- GaAs光导开关耐压试验研究被引量：1
- 2008年
- 对设计制作的3mm间隙共面型GaAs光导开关进行了耐压试验研究。试验中比较了光导开关的静态绝缘电阻、暗电流和击穿电压之间的关系,发现在1 kV时暗电流不高于3μA的光导开关在试验中击穿电压都在12 kV左右,这为试验前评价光导开关的耐压性提供了参考依据。采用不同方式对光导开关进行了绝缘保护,并结合介质击穿理论对试验结果进行了分析,结果表明:绝缘保护可以有效提高耐压特性,绝缘强度达4 kV/mm。
- 刘娟时世泰李寅鑫戴文明
- 关键词：光导开关击穿电压绝缘电阻
