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马锁辉

作品数：3 被引量：13H指数：3
供职机构：河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
发文基金：国家中长期科技发展规划重大专项河北省自然科学基金河北省教育厅科研基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇CMP
  • 2篇阻挡层
  • 2篇TSV
  • 1篇电阻
  • 1篇多胺
  • 1篇抛光速率
  • 1篇抛光液
  • 1篇平坦化
  • 1篇去除速率
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇络合剂
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇化学机械平坦...
  • 1篇机械抛光
  • 1篇碱性抛光液
  • 1篇TI/CU
  • 1篇铜

机构

  • 3篇河北工业大学

作者

  • 3篇王辰伟
  • 3篇刘玉岭
  • 3篇马锁辉
  • 2篇王胜利
  • 2篇高娇娇
  • 1篇蔡婷
  • 1篇曹阳
  • 1篇王伟超
  • 1篇杨琰
  • 1篇岳红维

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇功能材料

年份

  • 3篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
多羟多胺在TSV铜膜CMP中的应用研究被引量：7
2013年
对自主研发的多羟多胺络合剂(FA/O)在硅通孔技术(Through-silicon-via,TSV)化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)进行了应用研究。结果表明,FA/O络合剂较其它常用络合剂在碱性CMP条件下对铜有较高的去除速率,抛光液中不加FA/O络合剂时,铜的去除速率仅为45.0nm/min,少量FA/O的加入迅速提高了铜膜去除速率,当FA/O含量为50mL/L时,铜去除速率趋于平缓。在TSV Cu CMP中应用表明,FA/O对铜的去除率可高达2.8μm/min,满足微电子技术进一步发展的要求。
王辰伟刘玉岭蔡婷马锁辉曹阳高娇娇
关键词：络合剂TSV化学机械平坦化抛光速率
阻挡层CMP中铜损失的问题被引量：3
2013年
通过对阻挡层CMP后布线片各个单元的电学参数的检测,研究了阻挡层CMP后产生的铜损失问题。通过探索规律性实验研究了螯合剂和表面活性剂对铜和钽的去除速率的影响规律,得到铜的去除速率与阻挡层材料(Ta)去除速率随螯合剂与表面活性剂含量变化的规律,铜的去除速率以及铜与阻挡层材料去除速率比都达到要求。抛光液中的螯合剂能够快速与金属离子反应生成螯合物,从而达到去除铜膜和阻挡层的目的。将符合要求的抛光液运用到铜布线片上进行阻挡层CMP,得到良好的效果,铜损失得到了有效控制。在铜布线片上测得的铜线条电阻和漏电流数值可以很直观地反映出抛光液对器件性能的影响,所以主要以测得的铜线条电阻和漏电流作为参考标准进行研究。
王伟超王胜利刘玉岭王辰伟岳红维高娇娇马锁辉
关键词：阻挡层电阻漏电流
TSV阻挡层碱性抛光液对Ti/Cu去除速率的影响被引量：3
2013年
在硅通孔(through silicon via,TSV)的铜互连技术中,对于阻挡层的抛光,Ti和Cu去除速率非常重要。实验中采用的阻挡层材料为Ti,主要研究了pH值和氧化剂(H2O2)对Ti和Cu去除速率的影响。得到的实验结果表明pH值为10时,Ti的去除速率较高,Cu的去除速率很低;加入体积分数30%的氧化剂时,Ti的去除速率最高,Cu的去除速率较低。在pH值为10、加入氧化剂的体积分数为30%的条件下,对TSV阻挡层的修正能力为100～130 nm/min。可知,pH值和氧化剂对Ti/Cu的化学机械抛光(CMP)有很大的影响。
马锁辉王胜利刘玉岭王辰伟杨琰
关键词：阻挡层去除速率
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共1页<1>
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