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王文捷

作品数:5 被引量:6H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金:模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 1篇电流
  • 1篇电路
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅发射极
  • 1篇亚稳态
  • 1篇抑制技术
  • 1篇有源
  • 1篇有源滤波
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇天线
  • 1篇片上天线
  • 1篇逐次逼近型
  • 1篇逐次逼近型模...
  • 1篇转换器
  • 1篇转换时间
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐照
  • 1篇温度传感器
  • 1篇线性功放

机构

  • 5篇中国电子科技...
  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 5篇王文捷
  • 4篇邱盛
  • 2篇赖凡
  • 2篇王健安
  • 1篇任芳
  • 1篇徐代果
  • 1篇庞佑兵
  • 1篇徐婉静
  • 1篇张培健
  • 1篇张杨波
  • 1篇王智玮

传媒

  • 5篇微电子学

年份

  • 3篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2009
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
基于比较器亚稳态抑制技术的8位320 MS/s SAR ADC被引量:2
2019年
提出一种比较器亚稳态抑制技术,并将其应用于一个8位320 MS/s的逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。该技术抑制了比较器在高速工作情况下可能出现的亚稳态现象,从而降低了比较器出现错误结果的概率。同时,提出一种转换时间复用技术,使ADC能在转换与采样模式之间快速切换。与传统技术相比,随着工艺角、电源电压和温度(PVT)的变化,ADC的采样时间会被最大化。基于65 nm CMOS工艺,设计了一种8位320 MS/s SAR ADC。芯片测试结果表明,在1 V电源电压下,功耗为1 mW,信号噪声失真比(SNDR)>43 dB,无杂散动态范围(SFDR)>53.3 dB。SAR ADC核的芯片面积为0.021 mm^2,在Nyquist采样率下,优值为29 fJ/step。
王文捷邱盛徐代果
关键词:逐次逼近型模数转换器
毫米波天线集成技术研究进展
2019年
作为5G大规模多输入/多输出(MIMO)的技术支持,毫米波天线集成技术是实现高分辨数据流、移动分布式计算等应用场景的关键技术。讨论了封装天线(AiP)、片上天线(AoC)、混合集成等毫米波天线集成技术发展状况、关键技术及其解决方案,剖析了几种典型集成天线技术,分析了技术发展脉络,总结了5G毫米波集成天线一体化技术的发展趋势。
王文捷邱盛王健安赖凡
关键词:相控阵毫米波天线片上天线
一种基于线性功放技术的DC/AC变换器
2009年
介绍了一种基于线性功放技术的DC/AC变换器。该DC/AC变换器主要由控制电路和线性功率放大电路构成。采用二阶有源滤波技术、稳幅技术及线性功放技术,实现输入500Hz方波信号到输出500Hz正弦波信号的转变。这种DC/AC变换器具有输出波形失真度小,输出幅度稳定性高等特点。
王智玮王文捷庞佑兵
关键词:DC/AC变换器有源滤波线性功放
双极晶体管发射极电阻的提取方法及应用研究
2019年
以双多晶自对准互补双极器件中NPN双极晶体管为例,阐述了发射极电阻提取的基本原理和数学方法。在大电流情况下,NPN管的基极电流偏离理想电流是发射极串联电阻效应引起的。该提取方法综合考虑了辐照过程中NPN管的电流增益退化特性,分析了总剂量辐照效应对NPN管的损伤机理和模式。该提取方法适用于多晶硅发射极器件,也适用于SiGe HBT器件。
邱盛王文捷王健安张培健
关键词:多晶硅发射极总剂量辐照
集成电路温度传感器技术研究进展被引量:4
2017年
与传统传感器相比,集成电路温度传感器具有设计简单、集成度高、响应速度快、精度高、功耗小、体积小、成本低廉等优点,在计算机、通信、电信及工业控制等领域得到广泛的应用。介绍了集成电路温度传感器的技术现状,并以CMOS传感器为重点,从敏感元件、电路设计、制造工艺、高温应用等方面,探讨了智能温度传感器精度控制的关键之处。
任芳徐婉静赖凡张杨波王文捷邱盛
关键词:集成电路温度传感器CMOS工艺精度控制
共1页<1>
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