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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇电子辐照
  • 1篇正电子
  • 1篇正电子寿命
  • 1篇正电子寿命谱
  • 1篇射线衍射
  • 1篇磷化铟
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇半绝缘
  • 1篇X射线衍射
  • 1篇HE
  • 1篇INP材料
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射制备

机构

  • 2篇四川大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇周宇璐
  • 2篇陈燕
  • 2篇邓爱红
  • 2篇张丽然
  • 1篇喻菁
  • 1篇李悦
  • 1篇赵有文
  • 1篇周冰
  • 1篇龙娟娟
  • 1篇余鑫祥
  • 1篇张英杰

传媒

  • 2篇四川大学学报...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究被引量:1
2010年
本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构.电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性、影响材料的性能等进行了简要的论述.
陈燕邓爱红赵有文张英杰余鑫祥喻菁龙娟娟周宇璐张丽然
关键词:磷化铟正电子寿命谱电子辐照
磁控溅射制备的含He纳米晶铜膜的微结构分析被引量:1
2011年
采用直流磁控溅射法,在不同的He/Ar混合气氛下,制备了不同He含量的铜膜.利用弹性反冲探测(ERD)方法探测了铜膜中氦的含量和深度分布,实验发现引入铜膜中的氦深度分布较均匀;并本文采用X射线衍射(XRD)分析了铜膜中氦的微结构。实验结果表明随着铜膜中氦含量的逐渐增加,对应Cu(111)晶面的峰强也有所增强;最后应用了慢正电子柬分析(SPBA)技术测量了不同含氦铜膜的缺陷结构,随着铜膜中氦的增加,S参数会发生相应的变化.
周冰邓爱红张丽然周宇璐李悦陈燕
关键词:磁控溅射X射线衍射
共1页<1>
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