您的位置： 专家智库 > >

康慨

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 8篇电极
  • 7篇基站
  • 7篇基站系统
  • 6篇势垒
  • 6篇势垒层
  • 3篇导航
  • 3篇栅电极
  • 3篇卫星
  • 3篇卫星导航
  • 2篇钝化层
  • 2篇损耗
  • 2篇退火
  • 2篇热退火
  • 2篇微波功率器件
  • 2篇线性度
  • 2篇雷达
  • 2篇雷达系统
  • 2篇寄生电容
  • 2篇功率器件
  • 2篇毫米波器件

机构

  • 9篇西安电子科技...

作者

  • 9篇康慨
  • 8篇马晓华
  • 8篇郝跃
  • 8篇杨凌
  • 7篇周小伟

年份

  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
共 9 条 记 录，以下是 1-9
全选 清除 导出
排序方式：
低频率损耗GaN基微波功率器件及其制作方法
本发明公开了一种低频率损耗GaN基微波功率器件，自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)和势垒层(4)，势垒层的两端分别设有源电极(5)和漏电极(6)，其中源电极(5)与漏电极(6)之间的势垒层上依次设有Si...
杨凌芦浩马晓华康慨周小伟宓珉瀚祝杰杰郝跃
基于AlGaN/GaN异质结的低阻欧姆接触研究
随着科学技术水平的提高，通信产业得到了快速发展，半导体技术与无线通信、雷达通信、航空航天、空间通信等领域之间的关系也愈发的紧密。目前，现有的第一、二代半导体材料无法满足更高频率、更大功率电子器件的需求，而以GaN为主的第...
康慨
关键词：功率放大器
文献传递
高线性度毫米波器件及其制作方法
本发明公开了一种高线性度毫米波器件及其制作方法，主要解决现有器件跨导的线性度差的问题。其器件自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、第二沟道区(4)、背势垒层(5)、第一沟道区(6)、插入层(7)和势垒层(...
杨凌康慨周小伟马晓华郝跃
文献传递
低接触电阻型GaN基器件及其制作方法
本发明公开了一种低接触电阻型GaN基器件及其制作方法，主要解决现有器件源漏接触电阻、栅漏寄生电容过高的问题。其器件自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、第二沟道区(4)、背势垒层(5)、第一沟道区(6)、...
杨凌康慨周小伟马晓华郝跃
基于热退火掺杂工艺的低阻态氮化镓基器件及其制作方法
本发明涉及一种基于热退火掺杂工艺的低阻态氮化镓基器件及其制作方法，包括依次设置的衬底层、成核层、缓冲层，还包括势垒层；所述势垒层上设有源电极、漏电极和栅电极，所述势垒层上还设置有半导体薄膜，所述低阻态氮化镓基器件为通过热...
马晓华郝跃康慨祝杰杰杨凌
文献传递
高线性度毫米波器件及其制作方法
本发明公开了一种高线性度毫米波器件及其制作方法，主要解决现有器件跨导的线性度差的问题。其器件自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、第二沟道区(4)、背势垒层(5)、第一沟道区(6)、插入层(7)和势垒层(...
杨凌康慨周小伟马晓华郝跃
文献传递
低频率损耗GaN基微波功率器件及其制作方法
本发明公开了一种低频率损耗GaN基微波功率器件，自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)和势垒层(4)，势垒层的两端分别设有源电极(5)和漏电极(6)，其中源电极(5)与漏电极(6)之间的势垒层上依次设有Si...
杨凌芦浩马晓华康慨周小伟宓珉瀚祝杰杰郝跃
文献传递
低接触电阻型GaN基器件及其制作方法
本发明公开了一种低接触电阻型GaN基器件及其制作方法，主要解决现有器件源漏接触电阻、栅漏寄生电容过高的问题。其器件自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、第二沟道区(4)、背势垒层(5)、第一沟道区(6)、...
杨凌康慨周小伟马晓华郝跃
文献传递
介质辅助支撑型纳米栅器件及其制作方法
本发明公开了一种纳米尺寸下T型结构栅器件及其制作方法，主要解决现有T型栅支撑性差的问题。其器件自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)和势垒层(4)，势垒层上设有源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(7)，栅电...
杨凌康慨周小伟马晓华郝跃
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0