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杨凌

作品数：181 被引量：7H指数：2
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 174篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 84篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇航空宇航科学...
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 67篇电极
  • 53篇势垒
  • 39篇势垒层
  • 36篇刻蚀
  • 34篇晶体管
  • 27篇栅电极
  • 24篇迁移率
  • 24篇二极管
  • 22篇氮化镓
  • 21篇沟道
  • 19篇肖特基
  • 18篇电子迁移率
  • 18篇高电子迁移率
  • 18篇高电子迁移率...
  • 17篇ALGAN/...
  • 15篇电路
  • 15篇肖特基二极管
  • 12篇氧化镓
  • 11篇钝化层
  • 11篇欧姆接触

机构

  • 181篇西安电子科技...

作者

  • 181篇杨凌
  • 172篇马晓华
  • 150篇郝跃
  • 113篇侯斌
  • 81篇张濛
  • 69篇武玫
  • 34篇周小伟
  • 21篇朱青
  • 19篇王冲
  • 12篇李培咸
  • 12篇何云龙
  • 10篇郑雪峰
  • 8篇康慨
  • 7篇曹艳荣
  • 7篇王平
  • 6篇张鹏
  • 5篇毛维
  • 5篇高海霞
  • 5篇陆小力
  • 4篇吕玲

传媒

  • 2篇空间电子技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇上海航天（中...

年份

  • 2篇2025
  • 26篇2024
  • 22篇2023
  • 31篇2022
  • 33篇2021
  • 10篇2020
  • 15篇2019
  • 7篇2018
  • 12篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2012
  • 7篇2011
  • 7篇2010
  • 7篇2009
共 181 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种准垂直结构射频器件及制作方法
本发明涉及一种准垂直结构射频器件及制作方法，该器件包括基区、基极、发射区、第一钝化层、第二钝化层和发射极，其中，发射区和第一钝化层形成第二台阶；第二钝化层覆盖第一钝化层的部分表面以形成靠近第一台阶的第一台面，位于第二台阶...
祝杰杰马晓华张颖聪杨凌侯斌郝跃
一种基于PIN二极管的毫米波预失真集成电路及制作方法
本发明涉及一种基于PIN二极管的毫米波预失真集成电路的制作方法，包括步骤：制备AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，测试得到所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的输入阻抗；制备PIN二极管，使得所述PIN二极管的输出...
马晓华杨凌芦浩祝杰杰周小伟侯斌宓珉翰郝跃
文献传递
基于弧形漏场板和肖特基漏极的垂直型功率晶体管
本发明公开了一种基于弧形漏场板和肖特基漏极的垂直型功率晶体管，其包括：衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12)，沟道层和势垒层两侧刻蚀有凹槽(8)，两侧凹槽中淀积有...
毛维边照科郝跃李康张进成陈大政杨凌张鹏
文献传递
基于插指状复合金刚石层的GaN HEMT及制备方法
本发明公开了一种基于插指状复合金刚石层的GaN HEMT及制备方法；该GaN HEMT包括衬底、中间层和介质层；中间层包括势垒层和缓冲层；源、漏、栅电极穿过介质层与势垒层接触；中间层沿栅宽方向刻蚀有插指型凹槽，插指型凹槽...
武玫马晓华程可朱青张濛侯斌杨凌郝跃
低频率损耗GaN基微波功率器件及其制作方法
本发明公开了一种低频率损耗GaN基微波功率器件，自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)和势垒层(4)，势垒层的两端分别设有源电极(5)和漏电极(6)，其中源电极(5)与漏电极(6)之间的势垒层上依次设有Si...
杨凌芦浩马晓华康慨周小伟宓珉瀚祝杰杰郝跃
基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管及制备方法
本发明公开了一种基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管及其制备方法，该二极管自下而上依次包括：阴极、n<Sup>+</Sup>‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底层、n<Sup>‑</Sup...
杨凌武玫王平侯斌张濛宓珉瀚朱青马晓华郝跃
一种基于横向沟道调制的增强型场效应晶体管及其制作方法
本发明提供了一种基于横向沟道调制的GaN基增强型场效应晶体管，主要解决现有同类器件由隧穿引起的漏电和阈值电压不足的问题。其自下而上包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的两端设有源电极和...
马晓华张濛王语晨杨凌郝跃
文献传递
高线性双渐变沟道的GaN HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种高线性双渐变沟道的GaN HEMT器件及其制备方法，该器件包括自下而上层叠设置的衬底、GaN缓冲层、第一GaN沟道层、第一渐变AlGaN势垒层、第二GaN沟道层和第二渐变AlGaN势垒层；GaN HEMT...
张濛董洁杨凌于谦侯斌武玫宓珉瀚马晓华
环栅增强型AlGaN/GaN功率HEMT器件及其制备方法
本发明涉及一种环栅增强型AlGaN/GaN功率HEMT器件及其制备方法，该器件包括：衬底；源区部分，设置在衬底上的一侧；漏区部分，设置在衬底上的另一侧，且与源区部分相对设置；若干纳米沟道，间隔设置在源区部分与漏区部分之间...
马晓华何云龙杨凌张濛郝跃
文献传递
一种基于深度学习的PIN限幅器性能及HPM效应预测方法
本发明为一种基于深度学习的PIN限幅器性能及HPM效应预测方法，利用TCAD仿真软件，首先建立PIN限幅器的数值物理模型，随后基于PIN二极管数值物理模型搭建PIN限幅器HPM效应仿真电路，根据样本集所需的特征设置器件参...
王树龙高文泽赵银峰张旭艳李宇航李嘉睿杨凌
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