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杨凌

作品数：189 被引量：7H指数：2
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 181篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 85篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇航空宇航科学...
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 67篇电极
  • 55篇势垒
  • 41篇势垒层
  • 37篇晶体管
  • 37篇刻蚀
  • 27篇栅电极
  • 24篇迁移率
  • 24篇二极管
  • 22篇氮化镓
  • 21篇沟道
  • 20篇电路
  • 19篇肖特基
  • 18篇电子迁移率
  • 18篇高电子迁移率
  • 18篇高电子迁移率...
  • 18篇ALGAN/...
  • 15篇肖特基二极管
  • 12篇钝化层
  • 12篇氧化镓
  • 12篇射频

机构

  • 189篇西安电子科技...

作者

  • 189篇杨凌
  • 179篇马晓华
  • 156篇郝跃
  • 120篇侯斌
  • 87篇张濛
  • 75篇武玫
  • 34篇周小伟
  • 21篇朱青
  • 19篇王冲
  • 12篇李培咸
  • 12篇何云龙
  • 10篇郑雪峰
  • 8篇康慨
  • 7篇张鹏
  • 7篇曹艳荣
  • 7篇王平
  • 5篇毛维
  • 5篇高海霞
  • 5篇陆小力
  • 4篇吕玲

传媒

  • 2篇空间电子技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇上海航天（中...

年份

  • 10篇2025
  • 26篇2024
  • 22篇2023
  • 31篇2022
  • 33篇2021
  • 10篇2020
  • 15篇2019
  • 7篇2018
  • 12篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2012
  • 7篇2011
  • 7篇2010
  • 7篇2009
共 189 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种准垂直结构射频器件及制作方法
本发明涉及一种准垂直结构射频器件及制作方法，该器件包括基区、基极、发射区、第一钝化层、第二钝化层和发射极，其中，发射区和第一钝化层形成第二台阶；第二钝化层覆盖第一钝化层的部分表面以形成靠近第一台阶的第一台面，位于第二台阶...
祝杰杰马晓华张颖聪杨凌侯斌郝跃
一种基于PIN二极管的毫米波预失真集成电路及制作方法
本发明涉及一种基于PIN二极管的毫米波预失真集成电路的制作方法，包括步骤：制备AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，测试得到所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的输入阻抗；制备PIN二极管，使得所述PIN二极管的输出...
马晓华杨凌芦浩祝杰杰周小伟侯斌宓珉翰郝跃
基于弧形漏场板和肖特基漏极的垂直型功率晶体管
本发明公开了一种基于弧形漏场板和肖特基漏极的垂直型功率晶体管，其包括：衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12)，沟道层和势垒层两侧刻蚀有凹槽(8)，两侧凹槽中淀积有...
毛维边照科郝跃李康张进成陈大政杨凌张鹏
基于插指状复合金刚石层的GaN HEMT及制备方法
本发明公开了一种基于插指状复合金刚石层的GaN HEMT及制备方法；该GaN HEMT包括衬底、中间层和介质层；中间层包括势垒层和缓冲层；源、漏、栅电极穿过介质层与势垒层接触；中间层沿栅宽方向刻蚀有插指型凹槽，插指型凹槽...
武玫马晓华程可朱青张濛侯斌杨凌郝跃
低频率损耗GaN基微波功率器件及其制作方法
本发明公开了一种低频率损耗GaN基微波功率器件，自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)和势垒层(4)，势垒层的两端分别设有源电极(5)和漏电极(6)，其中源电极(5)与漏电极(6)之间的势垒层上依次设有Si...
杨凌芦浩马晓华康慨周小伟宓珉瀚祝杰杰郝跃
基于金刚石电热调控的全环栅场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种基于金刚石电热调控的全环栅场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；P型金刚石层，设置在缓冲层上；n型Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>层，设置在P型金...
马晓华武玫贾富春陈孝升杨凌侯斌张濛郝跃
一种适合宽频带应用的单刀双掷开关电路及电子设备
本发明公开了一种适合宽频带应用的单刀双掷开关电路及电子设备，该单刀双掷开关电路包括：第一微带线Z1、第二微带线Z2、第一开关支路和第二开关支路。本发明采用多个串并联结合模块构成的开关支路，通过输入对应的控制电压，控制各串...
张濛姜雨彤杨凌邹旭侯斌武玫宓珉瀚马晓华郝跃
一种带有终端结构的GaN基射频器件及其制作方法
本发明公开一种带有终端结构的GaN基射频器件及其制作方法，该射频器件包括：衬底、以及依次位于衬底一侧的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；沿垂直于衬底所在平面的方向，势垒层包括远离沟道层的第一表面，源电极与漏电极相对设置于第...
马晓华芦浩侯斌霍腾杨凌张濛鲁微郝跃
基于准垂直MPS的单片集成二极管限幅单元及制备方法
本发明公开了一种基于准垂直MPS的单片集成二极管限幅单元及制备方法，限幅单元包括位于硅衬底上的两个硅基GaN准垂直MPS，形成正向和反向限幅二极管；钝化层覆盖两个MPS和硅衬底；薄膜保护电阻位于钝化层内；第一互连金属将电...
杨凌侯斌常青原芦浩朱宥军马晓华张濛武玫郝跃
基于弧形漏场板和肖特基漏极的垂直型功率晶体管
本发明公开了一种基于弧形漏场板和肖特基漏极的垂直型功率晶体管，其包括：衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12)，沟道层和势垒层两侧刻蚀有凹槽(8)，两侧凹槽中淀积有...
毛维边照科郝跃李康张进成陈大政杨凌张鹏
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