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冯小刚

作品数:3 被引量:8H指数:1
供职机构:重庆邮电大学更多>>
发文基金:重庆市自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇采样
  • 1篇单粒子
  • 1篇单粒子效应
  • 1篇设计方法
  • 1篇转换器
  • 1篇开关
  • 1篇开环
  • 1篇交换式
  • 1篇辐照加固
  • 1篇高速采样
  • 1篇BICMOS
  • 1篇CMOS
  • 1篇CMOS工艺
  • 1篇GESI
  • 1篇采样保持

机构

  • 3篇重庆邮电大学
  • 3篇重庆大学
  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇刘明
  • 3篇冯小刚
  • 3篇徐辉
  • 2篇张正平
  • 1篇徐世六
  • 1篇周前能
  • 1篇李儒章
  • 1篇王永禄
  • 1篇刘佳
  • 1篇张龙生

传媒

  • 3篇微电子学

年份

  • 3篇2014
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
一种高速采样/保持电路的设计与分析被引量:6
2014年
介绍了一种高速采样/保持电路,分析了电路的非线性效应。该电路基于0.18μm GeSi BiCMOS工艺,采用全差分开环结构,通过射极负反馈和前馈误差放大器来改善输入缓冲放大器的线性度。采用交换式射极跟随器开关,可以提高电路的采样速度,减小谐波失真。三级级联的输出缓冲减小了下垂率,并增大对后级电路的驱动能力。在3.3V电源电压和500fF负载电容下,采用Cadence Spectre进行仿真分析。结果显示,在相干采样模式下,采样率为1.28GS/s时,在27℃温度下,整个电路的SFDR为77dB,THD为-68.38dB,功耗为133mW;采样率为2.5GS/s时,各个温度下均满足8位的精度要求,可用于高速A/D转换器。
谭智琴王永禄张龙生张正平刘明冯小刚徐辉
关键词:采样GESIBICMOS
基于标准工艺的抗单粒子数字单元设计方法被引量:1
2014年
基于0.18μm CMOS混合信号标准工艺,研究了一种抗单粒子数字单元的设计方法。采用的单粒子加固措施包括:在时序逻辑的电路结构中采用RC滤波结构;在版图结构中采用N+/P+保护环结构以及增加阱接触和衬底接触的通孔数目。以D触发器DFFX2为例,验证了其具有良好的单粒子加固性能。参照标准数字单元库设计流程,开发了一款抗单粒子数字单元库,并应用于高性能数据转换器项目中。
冯小刚李儒章刘佳周前能谭智琴徐辉刘明
关键词:单粒子效应辐照加固
一种基于CMOS工艺的高速采样保持电路的设计被引量:1
2014年
设计了一种基于CMOS工艺的高速采样保持电路。该电路采用了开环双路双差分结构。详细分析了引起电路非线性的原因,并采用了新的结构来提高电路的线性度。仿真结果表明,在电源电压为1.9V,输入信号频率为393.75MHz,采样率为1.6GS/s,负载为0.5pF时,该电路的无杂散动态范围(SFDR)为80.5dB,总谐波失真(THD)为-78.6dB,有效位为12.7位。该电路具有高采样率、高SFDR和较强驱动能力等优点。
刘明徐世六张正平徐辉谭智琴冯小刚
关键词:采样保持开环CMOS
共1页<1>
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