王若铮
- 作品数：22 被引量：7H指数：1
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学一般工业技术更多>>
- 高质量硼掺杂单晶金刚石同质外延及电学性质研究被引量：1
- 2022年
- 突破高质量、高效金刚石掺杂技术是实现高性能金刚石功率电子器件的前提。本文利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,以三甲基硼为掺杂源,制备出表面粗糙度0.35 nm,XRD(004)摇摆曲线半峰全宽28.4 arcsec,拉曼光谱半峰全宽3.05 cm^(-1)的高质量硼掺杂单晶金刚石。通过改变气体组分中硼元素的含量,实现了10^(16)~10^(20) cm^(-3)的p型金刚石可控掺杂工艺。随后,研究了硼碳比、生长温度、甲烷浓度等工艺条件对p型金刚石电学特性的影响,结果表明:在硼碳比20×10^(-6)、生长温度1100℃、甲烷浓度8%、腔压160 mbar(1 mbar=100 Pa)时p型金刚石迁移率达到207 cm^(2)/(V·s)。通过加氧生长可以提升硼掺杂金刚石结晶质量,降低杂质散射。当氧气浓度为0.8%时,样品空穴迁移率提升至614 cm^(2)/(V·s)。
- 王若铮闫秀良彭博彭博魏强魏强
- 关键词：单晶金刚石P型掺杂硼掺杂MPCVD空穴迁移率
- 一种复合高k绝缘层薄膜晶体管结构及其制备方法
- 本发明公开了一种复合高k绝缘层薄膜晶体管结构及其制备方法，属于平板显示器制造技术领域。复合高k绝缘层薄膜晶体管的结构包括沉积在基板上的栅电极，在栅电极上连续沉积三层复合绝缘层薄膜，然后在绝缘层上再溅射沟道层薄膜和源漏电极...
- 吴胜利王若铮李欣予张劲涛
- 文献传递
- 一种基于金刚石微流通道的液冷散热器结构及其制作方法
- 本发明公开了一种基于金刚石微流通道的液冷散热器结构，包括层叠设置的金刚石衬底和金刚石外延层，在金刚石衬底内设置若干条具有一定间隔的金刚石微流通道，金刚石外延层用于在其表面键合待散热对象。本发明还公开了该散热器的制作方法，...
- 王宏兴符娇朱天飞刘璋成邵国庆王艳丰刘宗琛赵丹常晓慧王若铮侯洵
- 文献传递
- 一种利用Pt系金属作为Ir缓冲层制备异质外延单晶金刚石的方法
- 本发明公开了一种利用Pt系金属作为Ir缓冲层制备异质外延单晶金刚石的方法，包括如下步骤：步骤一、在异质外延衬底上制备出Pt系金属(001)取向薄膜；步骤二、在步骤一中的Pt系金属(001)取向薄膜上外延生长Ir(001)...
- 魏强林芳张晓凡王若铮陈根强王宏兴
- 绝缘层材料及结构对薄膜晶体管性能的影响被引量：5
- 2017年
- 基于半导体仿真软件Silvaco TCAD对薄膜晶体管(TFT)进行器件仿真,并结合实验验证,重点分析不同绝缘层材料及结构对TFT器件性能的影响。仿真及实验所用薄膜晶体管为底栅电极结构,沟道层采用非晶IGZO材料,绝缘层采用SiN_x和HfO_2多种不同组合的叠层结构。仿真及实验结果表明:含有高k材料的栅绝缘层叠层结构较单一SiN_x绝缘层结构的TFT性能更优;对SiN_x/HfO_2/SiN_x栅绝缘层叠层结构TFT,HfO_2取40nm较为合适;对含有高k材料的3层和5层绝缘层叠层结构TFT,各叠层厚度相同的对称结构TFT性能最优。本文通过仿真获得了TFT性能较优的器件结构参数,对实际制备TFT器件具有指导作用。
- 李欣予王若铮吴胜利李尊朝
- 关键词：薄膜晶体管绝缘层氮化硅叠层结构
- n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管
- 本实用新型公开了n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管，包括金刚石衬底，金刚石衬底上铺设有由n型掺杂单晶金刚石外延薄膜形成的台面，台面上沉积有两个条形的介质层，沿各介质层和台面的外沿分别铺设有漏极和源极，在两个介质层之间铺...
- 王宏兴王艳丰常晓慧王玮宋王振赵丹刘璋成王若铮侯洵
- 文献传递
- n型掺杂单晶金刚石场板结构的场效应晶体管的制备方法
- 本发明公开了n型掺杂单晶金刚石场板结构的场效应晶体管的制备方法，在金刚石衬底上生长出n型掺杂单晶金刚石外延薄膜，然后将n型掺杂单晶金刚石外延薄膜刻蚀形成台面，在台面上沉积两个条形的介质层，沿介质层和台面的外沿分别形成漏极...
- 王宏兴王艳丰常晓慧王玮宋王振赵丹刘璋成王若铮侯洵
- 文献传递
- n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管
- 本发明公开了n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管，包括金刚石衬底，金刚石衬底上铺设有由n型掺杂单晶金刚石外延薄膜形成的台面，台面上沉积有两个条形的介质层，沿各介质层和台面的外沿分别铺设有漏极和源极，在两个介质层之间铺设有...
- 王宏兴王艳丰常晓慧王玮宋王振赵丹刘璋成王若铮侯洵
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- 一种利用Pt系金属作为Ir缓冲层制备异质外延单晶金刚石的方法
- 本发明公开了一种利用Pt系金属作为Ir缓冲层制备异质外延单晶金刚石的方法，包括如下步骤：步骤一、在异质外延衬底上制备出Pt系金属(001)取向薄膜；步骤二、在步骤一中的Pt系金属(001)取向薄膜上外延生长Ir(001)...
- 魏强林芳张晓凡王若铮陈根强王宏兴
- 文献传递
- 一种单晶金刚石紫外探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种单晶金刚石紫外探测器及其制备方法，所述单晶金刚石紫外探测器，包括：单晶金刚石衬底、金属辅助生长单晶金刚石薄膜和叉指电极；所述金属辅助生长单晶金刚石薄膜设置于所述单晶金刚石衬底上，所述叉指电极设置于所述金属...
- 王宏兴常晓慧闫秀良王若铮王艳丰
- 文献传递
