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李剑锋

作品数：12 被引量：10H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 10篇功率
  • 8篇大功率
  • 7篇内匹配
  • 5篇X波段
  • 5篇GAN
  • 4篇超大功率
  • 3篇直流偏置
  • 3篇偏置
  • 3篇微波测试
  • 3篇微波器件
  • 3篇隔离度
  • 3篇高隔离
  • 3篇高隔离度
  • 3篇GAAS
  • 2篇滤波网络
  • 2篇晶体管
  • 2篇功率放大
  • 2篇功率放大器
  • 2篇功率管
  • 2篇功率合成

机构

  • 12篇中国电子科技...

作者

  • 12篇李剑锋
  • 7篇银军
  • 7篇余若祺
  • 4篇吴阿慧
  • 4篇倪涛
  • 4篇斛彦生
  • 3篇顾占彪
  • 3篇林丽艳
  • 3篇张博闻
  • 2篇邱旭
  • 2篇崔玉兴
  • 1篇默江辉
  • 1篇刘志军
  • 1篇牛海君
  • 1篇黄雒光
  • 1篇吴家锋
  • 1篇许春良

传媒

  • 5篇通讯世界
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
X波段GaN千瓦级功率放大器的设计被引量：2
2023年
为满足新型雷达对千瓦级大功率放大器的需求,采用0.25μm GaN HEMT工艺研制了一款输出功率大于2000 W的X波段内匹配功率放大器。通过背势垒层结构与双场板结构提高器件击穿电压,使GaN HEMT管芯的工作电压达到60 V。通过负载牵引得到管芯最优阻抗,采用T型匹配网络和功率分配/合成器将管芯阻抗匹配到50Ω。在工作电压60 V、占空比1‰、脉宽5μs测试条件下,9.0~9.4 GHz频段内输出功率大于2000 W,最大功率密度达到10.4 W/mm,功率增益大于7 dB,功率附加效率大于37.2%。
斛彦生黄旭王毅李剑锋倪涛银军郭艳敏
关键词：大功率X波段内匹配功率合成
一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具
本实用新型公开了一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，属于半导体器件测试技术领域。本实用新型包括测试盒体、PCB板、压块、直流偏置引出端、射频输入输出引出端，PCB板置于测试盒体内，PCB板包括馈电匹配电路...
林丽艳李剑锋吴阿慧顾占彪
文献传递
C波段60W GaAs大功率内匹配晶体管
2009年
报道了一种采用内匹配技术制作的GaAs大功率晶体管。通过管芯的结构设计和工艺优化，进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制；通过内匹配技术对HPFET（highperformanceFET）管芯进行阻抗匹配，实现了器件的大功率输出；通过提高栅-漏击穿电压、降低饱和压降等手段提高器件的功率和附加效率。经测试，当器件Vds=10V时，在5．3～5．7GHz频段输出功率P≥47．8dBm（60．3W），功率附加效率PAE≥42．8％，其中在5．5GHz频率点，输出功率达到48dBm（63．1W），附加效率为46．8％。
邱旭李剑锋崔玉兴余若祺张博闻
关键词：大功率内匹配
X波段高效率GaAs内匹配功率管研制被引量：1
2020年
本文介绍了一种基于Ga As PHEMT材料的X波段大功率高效率内匹配器件的设计方法,根据小栅宽管芯提取的模型,在仿真平台中设计环境中利用Load-Pull算法推算出大栅宽管芯的输入、输出阻抗,以此为基础设计多枝节阻抗变化器,将阻抗逐步匹配至50Ω,实现宽带阻抗匹配。设计并实现了工作频率8.9 GHz^10.1 GHz,输出功率大于35 W,功率增益大于7.5 d B,功率附加效率大于40%的Ga As内匹配功率管,具有广阔的应用前景。
银军李剑锋余若祺张博闻吴阿慧
关键词：内匹配X波段功率
一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具
本发明公开了一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，属于半导体器件测试技术领域。本发明包括测试盒体、PCB板、压块、直流偏置引出端、射频输入输出引出端，PCB板置于测试盒体内，PCB板包括馈电匹配电路和射频输...
林丽艳李剑锋吴阿慧顾占彪
文献传递
4GHz~8GHz 200W GaN超宽带内匹配功率放大器的研制
2024年
基于中国电子科技集团公司第十三研究所0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)工艺平台研制的高压大栅宽芯片,设计了一款4GHz~8GHz 200W GaN超宽带内匹配功率放大器,分别进行了管芯设计、大信号模型设计、栅匹配电路设计以及输出匹配电路设计,并对设计出的功率放大器进行制作与测试,测试表明设计出的功率放大器具有优异的性能。
李剑锋银军余若祺斛彦生王毅梁青倪涛
关键词：GAN超宽带内匹配功率放大器
X波段1000W大功率内匹配功率器件研制被引量：2
2019年
一种新颖的GaN工艺应用于X波段高功率、高效率功率管,适合于雷达和遥感应用。不同于传统的GaN器件工作在28~40V,该器件工作大于50V,以达到高功率密度、效率和低输出电容。根据指标要求进行管芯结构设计,该大功率GaNHEMT内匹配器件采用双胞胞管芯功率合成技术,总栅宽为80mm×2。在50V漏电电压35μs周期、5%占空比测试条件下,10~11GHz频段内功率均大于1100W,功率增益大于7.5dB,在10.6GHz频点输出功率大于1300W,增益8.2dB,带内附加效率均大于35%,最高效率达到38.9%。
李剑锋银军余若祺梁青默江辉黄雒光
关键词：GAN高功率内匹配X波段KW
X波段小型化高集成度130W功放载片研制被引量：2
2019年
本文介绍了一种X波段小型化高增益高集成度功放载片的设计方法。该功率载片基于28V工作GaN功率单片和功率管芯,采用内匹配方式和混合集成电路形式,研制的四级放大链高集成度的功放载片,实现了X波段9.0~10.0GHz频段内,28V工作电压、150μs脉宽、25%占空比工作条件下,功率输出大于51.5dBm、功率增益大于33.5dB、功率附加效率大于33%的性能指标。功放载片尺寸20mm×12mm×2mm,实现了高增益高集成度的百瓦级功率载片的研制目标。
倪涛银军王毅余若祺李剑锋斛彦生李晶
关键词：GANX波段高集成度高增益小型化
一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具
本发明公开了一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，属于半导体器件测试技术领域。本发明包括测试盒体、PCB板、压块、直流偏置引出端、射频输入输出引出端，PCB板置于测试盒体内，PCB板包括馈电匹配电路和射频输...
林丽艳李剑锋吴阿慧顾占彪
文献传递
超大功率的X波段内匹配功率管
本发明提供了一种超大功率的X波段内匹配功率管，属于微波技术领域，包括封装管壳、管芯台、高压GaN管芯、输入匹配电路及输出匹配电路，管芯台封装于所述封装管壳内；高压GaN管芯设置于所述管芯台上，高压GaN管芯工作电压为70...
黄旭李剑锋许春良余若祺银军倪涛斛彦生王毅徐会博吴家锋刘志军
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