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周印华

作品数：1 被引量：14H指数：1
供职机构：南昌大学材料科学与工程学院教育部发光材料与器件工程研究中心更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇湿法刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇光效
  • 1篇光效率
  • 1篇光学
  • 1篇光学材料
  • 1篇SI衬底
  • 1篇衬底
  • 1篇出光
  • 1篇出光效率

机构

  • 1篇南昌大学
  • 1篇晶能光电(江...

作者

  • 1篇江风益
  • 1篇汤英文
  • 1篇饶建平
  • 1篇周印华

传媒

  • 1篇光学学报

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率被引量：14
2009年
以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀。结果表明,在相同的刻蚀条件下,N面有电极的n型GaN层刻蚀速率明显大于没有电极的n型GaN;而它们的均方根粗糙度(RMS)则结果相反。刻蚀后的形貌呈圆锥型凸起。20 mA下刻蚀后的裸芯光输出功率较刻蚀前提高了88.5%。
周印华汤英文饶建平江风益
关键词：光学材料出光效率SI衬底
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