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田国平
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国电子科技集团公司
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发文基金:
超高速专用集成电路重点实验室基金
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
王伟
天津工业大学信息与通信工程学院
郭维廉
天津工业大学信息与通信工程学院
牛萍娟
天津工业大学信息与通信工程学院
商跃辉
中国电子科技集团公司
苗长云
天津工业大学信息与通信工程学院
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作者
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于欣
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商跃辉
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牛萍娟
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郭维廉
1篇
田国平
1篇
王伟
传媒
1篇
固体电子学研...
年份
1篇
2008
共
1
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被引量排序
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RTD/HEMT单片集成中RTD直流参数与材料结构的关系
被引量:1
2008年
为了研究器件参数与材料结构的关系,设计了三种不同的GaAs基RTD材料结构。通过完全相同的器件制造工艺,研制出三种RTD器件,并测量了它们的9个直流参数。对测量结果进行了对比和分析。最后针对RTD与HEMT集成时,如何处理RTD与HEMT间的电流匹配问题提出了建议。
郭维廉
牛萍娟
苗长云
于欣
王伟
商跃辉
冯震
田国平
关键词:
共振隧穿二极管
材料结构
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