王伟
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
- 供职机构：天津工业大学信息与通信工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量被引量：1
- 2008年
- 采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"Λ"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1～10.6,峰值电流跨导约为3×10-4S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.
- 郭维廉张世林梁惠来齐海涛毛陆虹牛萍娟于欣王伟王文新陈宏周均铭
- 关键词：电子转移器件
- 基于标准CMOS工艺的Si基光发射器件
- 2008年
- 基于反偏雪崩击穿的发光原理,按照Chartered 0.35μm标准CMOS工艺要求,设计并制作了一种Si基光发射器件。在室温下对器件特性进行了初步测试,正向导通电压为0.75V,反向击穿电压为8.4V,能够在一个较宽的电压范围(8.4～12V)内稳定工作。总结了工艺对器件电学特性的影响,并将该器件结构与Snyman等人研究的器件结构进行了比较分析。该器件较强的边缘发光在平面结构的Si基片上集成光互联系统中将会有一定的应用价值。
- 黄春红牛萍娟杨广华王伟
- 关键词：互补金属氧化物半导体工艺光电集成电路光互连
- NDRHBT及其构成的单-双稳转换逻辑单元被引量：1
- 2007年
- 设计并研制了InGaP/GaAs/InGaP超薄基区(8nm)负阻异质结晶体管(UTBNDRHBT)。并用它构成一个单-双稳转换逻辑单元(Monostable-bistable transition logic element,简称MOBILE)。经过测试,证实其具有与GRTD、RTD/HEMT构成的MOBILE相类似的逻辑功能。
- 郭维廉关薇牛萍娟张世林齐海涛陈乃金王伟
- 关键词：异质结晶体管负阻器件
- RTD表观正阻与串联电阻非本征双稳态的相关性被引量：1
- 2010年
- 在RTD的I-V特性测量过程中,有时在负阻区出现VP>VV的情况,一般称为表观正阻(APR)现象。通过RTD/RS锁定电路负载线分析,证实APR起源于RTD串联电阻非本征双稳态线。
- 郭维廉王伟刘伟李晓云牛萍娟梁惠来张世林宋瑞良毛陆虹
- 关键词：共振隧穿二极管电特性双稳态
- 长波长锗硅光电探测器的材料生长研究
- 2007年
- 介绍了应变SiGe层的特性,包括SiGe应变层临界厚度与Ge组分的关系,能带变窄,折射率增加以及应变SiGe层的亚稳态特性。然后从材料生长方面入手,提出了4种改善长波长锗硅光电探测器性能的方案,包括采用生长缓冲层来减小位错的方法、生长高组分表面起伏多量子阱的方法和生长Ge岛超晶格的方法,随之给出了相关的实验结果,并对这4种方案进行了分析。最后对上述内容进行小结,并对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望。
- 李欢牛萍娟李俊一张宇王伟
- 关键词：锗硅探测器应变层
- RTD／HEMT单片集成中RTD直流参数与材料结构的关系被引量：1
- 2008年
- 为了研究器件参数与材料结构的关系,设计了三种不同的GaAs基RTD材料结构。通过完全相同的器件制造工艺,研制出三种RTD器件,并测量了它们的9个直流参数。对测量结果进行了对比和分析。最后针对RTD与HEMT集成时,如何处理RTD与HEMT间的电流匹配问题提出了建议。
- 郭维廉牛萍娟苗长云于欣王伟商跃辉冯震田国平
- 关键词：共振隧穿二极管材料结构
- 新型负阻HBT构成的非稳多谐振荡器研究
- 2007年
- 报道了由超薄基区负阻异质结双极晶体管(UTBNDRHBT)构成的非稳多谐振荡器,具有高速、可调控等优点。对其电压控制脉冲频率调制效应进行了实验研究,观察到了仅由基极电压(V_(BE))即可控制脉冲间距和脉冲宽度;对实验现象给出了相应分析,并指出了此电路的应用前景。
- 于欣牛萍娟郭维廉王伟
- 关键词：负阻异质结双极晶体管
