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毛平

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇漂移区
  • 1篇耐压
  • 1篇RESURF...
  • 1篇SOI

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇陈培毅
  • 1篇毛平

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF结构耐压机理研究被引量：2
2006年
研究了阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF(Reduce SURface Field)结构的器件几何形状和物理参数对器件耐压的影响;发现并解释了该结构纵向击穿时,耐压与浓度关系中特有的“多RESURF平台”现象。研究表明,阶梯变掺杂漂移区结构能明显改善表面电场分布,提高耐压,降低导通电阻,增大工艺容差;利用少数分区,能得到接近线性变掺杂的耐压,降低了工艺难度。
毛平陈培毅
关键词：SOIRESURF结构
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