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唐磊

作品数:3 被引量:15H指数:3
供职机构:中国燃气涡轮研究院更多>>
发文基金:国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 2篇塞贝克系数
  • 2篇金属
  • 2篇金属基
  • 1篇电偶
  • 1篇一体化
  • 1篇制备及性能
  • 1篇时效
  • 1篇时效处理
  • 1篇热电偶
  • 1篇热电势
  • 1篇薄膜热电偶
  • 1篇PT
  • 1篇SEEBEC...
  • 1篇ITO

机构

  • 3篇电子科技大学
  • 3篇中国燃气涡轮...

作者

  • 3篇张万里
  • 3篇蒋洪川
  • 3篇刘兴钊
  • 3篇唐磊
  • 2篇陈寅之
  • 2篇于浩
  • 1篇赵文雅
  • 1篇王从瑞
  • 1篇姚飞
  • 1篇彭少龙

传媒

  • 2篇测控技术
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
功能-结构一体化NiCr/NiSi薄膜热电偶的制备被引量:8
2011年
采用多层薄膜结构制备了NiCr/NiSi薄膜热电偶,该薄膜热电偶依次由Ni基超合金基片、NiCrAlY过渡层、Al_O_3热氧化层、Al_O_3绝缘层、NiCr/NiSi薄膜热电偶层以及Al_O_3保护层构成。主要研究了热电偶层薄膜厚度和时效处理对热电偶性能的影响以及温度对Al_O_3绝缘层绝缘性的影响。静态标定结果表明,热电偶层厚度对NiCr/NiSi薄膜热电偶性能几乎没有影响。时效处理可显著提高NiCr/NiSi薄膜热电偶的热电性能和相对灵敏度。所制备的NiCr/NiSi薄膜热电偶的Seebeck系数达到37μV/K,最大相对灵敏度达到0.9左右。Al_O_3绝缘层在垂直方向的绝缘性随温度的升高而降低,在室温至300℃范围内,Al_O_3绝缘层在垂直方向的绝缘电阻大于100 MΩ,当温度升高到900℃时,Al_O_3绝缘层在垂直方向的绝缘电阻下降为16 kΩ。
王从瑞蒋洪川陈寅之张万里刘兴钊唐磊于浩
关键词:时效处理SEEBECK系数
金属基NiCr-NiSi薄膜热电偶的制备及性能研究被引量:7
2010年
采用电子束蒸发和磁控溅射法在Ni基超合金基片上制备NiCr-NiSi薄膜热电偶,薄膜热电偶依次由Ni基超合金基片、NiCrAlY过渡层、Al2O3热氧化层、氧化铝绝缘层、NiCr-NiSi薄膜热电偶层以及氧化铝保护层构成。对此薄膜热电偶样品的静态标定结果表明,所制备的金属基NiCr-NiSi薄膜热电偶在25~600℃内具有良好的线性度,Seebeck(塞贝克)系数达到37.5μV/K,略低于K型标准热电偶的塞贝克系数40.0μV/K。
姚飞蒋洪川张万里刘兴钊唐磊于浩
关键词:塞贝克系数
金属基Pt/ITO薄膜热电偶的制备被引量:8
2013年
采用多层膜结构制备了金属基Pt/ITO薄膜热电偶,薄膜热电偶由Ni基合金基片、NiCrAlY过渡层、热生长Al_2O_3层、Al_2O_3绝缘层、Pt/ITO功能层和Al_2O_3保护层构成。静态标定结果表明:样品的平均塞贝克系数为107.45μV/℃。测试温度可达到1000℃。时效处理可以有效提高薄膜热电偶的输出热电势。
赵文雅蒋洪川陈寅之张万里刘兴钊彭少龙唐磊
关键词:PT热电势塞贝克系数
共1页<1>
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