何国荣
- 作品数：10 被引量：29H指数：4
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Si/Si直接键合界面性质的研究被引量：4
- 2004年
- 通过三步直接键合方法实现了 Si/ Si键合。采用 XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对 Si/ Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究。研究结果表明 ,高温退火后 ,在键合界面没有 Si-H和 Si-OH网络存在 ,键合界面主要由单质 Si和不定形氧化硅 Si Ox 组成。同时 ,研究还表明 ,I-V特性和键合强度强烈地依赖于退火温度。
- 陈松岩谢生何国荣
- 关键词：硅直接键合红外透射谱伏安特性键合强度
- 氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性被引量：3
- 2004年
- 用电化学腐蚀法制备了多孔硅 (PS) ,在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理 ,并进行了光致发光 (PL)谱和原子力显微镜 (AFM)表面形貌的测量。不同退火温度给PS表面形态带来较大变化 ,也影响了其PL谱特性。在退火的样品中观察到的PL谱高效蓝光和紫光谱带 ,我们认为主要源于量子限制发光峰和非平衡载流子被带隙中浅杂质能级所俘获而引起的辐射复合所产生的。在 42 0～ 45 0℃退火处理的多孔硅的PL谱上观察到了一个未见诸于报道的紫光新谱带 ( 3 .2 4eV ,3 82nm) ,其发光机理有待于进一步研究。
- 陈松岩谢生何国荣刘宝林蔡加法陈丽荣黄美纯
- 关键词：多孔硅氢等离子体蓝光发射原子力显微镜热退火
- Si-Si直接键合的研究及其应用被引量：11
- 2003年
- 硅片直接键合技术是一种简单易行的硅片熔合技术,由于该技术不受材料的结构、晶向和点阵参数的影响,因而得到了广泛的应用。介绍了硅片直接键合的方法和键合模型,并简单介绍了硅片直接键合技术的应用。
- 何国荣陈松岩谢生
- 关键词：等离子体刻蚀微机电系统硅直接键合
- Si/Si直接键合界面的FTIR和XPS研究被引量：3
- 2004年
- 通过新颖的键合方法实现了Si/Si直接键合。采用傅里叶红外透射谱(FTIR)对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,高温退火样品的界面组分为Si和O,无OH和H网络存在。X射线光电子谱(XPS)测试结果进一步表明,界面主要为单质Si和SiOx混合网络,且随着退火温度的升高,界面层Si-Si直接成键的密度也越高。
- 陈松岩谢生何国荣
- 关键词：硅直接键合红外透射谱X射线光电子谱
- 多孔硅荧光谱双峰结构的研究被引量：2
- 2002年
- 采用阳极腐蚀法制备了多孔硅 (PS) ,用原子力显微镜 (AFM)照片对其表面和结构做了分析 ,观察到多孔硅纳米尺寸的微结构 ;并进行了多孔硅层 (PSL )的光致发光谱 (PL)测量 ,观察到PL谱峰的”蓝移”和双峰现象 ,符合量子尺寸效应和发光中心理论 。
- 陈松岩何国荣陈小红韩建军林爱清陈丽蓉
- 关键词：多孔硅红外吸收谱量子效应蓝移荧光光谱
- InP/GaAs材料和器件的直接键合被引量：1
- 2004年
- 采用三步法在GaAs衬底上实现InP材料的键合,通过X 射线光电子谱(XPS)对样品键合界面进行化学价态和深度分布分析。结果表明,键合温度小于450℃时,样品界面主要由三维氢键网络组成;大于450℃时界面处发生互扩散,Ⅴ族元素主要在界面处富集,而Ⅲ族元素具有较深的扩散。因此提出界面层以InGaAs、InGaP为主,这种界面化学态的变化对样品的I V特性和键合强度都具有实质意义的影响,同时由于异质结带阶的存在,要获得良好的电学性质和强度,键合温度并不是越高越好,而是存在一个最佳温度。最后,在GaAs衬底上成功地键合了InGaAs/InP光电探测器。
- 谢生陈松岩王水菊何国荣林爱清陈朝
- 关键词：直接键合I-V特性键合强度探测器
- InP/GaAs低温键合的新方法被引量：6
- 2005年
- 通过对 InP/GaAs 异质键合实验方法的研究,提出了包括表面活化处理、真空预键合和退火热处理的三步法,在350℃低温下实现了InP/GaAs异质材料的键合。界面电流 电压(I V)特性的研究表明,350℃样品的界面过渡层极薄,电子主要以隧穿方式通过界面,而450℃的扩散使得过渡层增厚,界面电流 电压特性可视为双肖特基二极管的反向串联。同时,对键合样品也进行了拉力测试,实验结果表明 450℃样品的键合强度优于350℃样品。最后,对InP/GaAs异质材料的键合机理进行了探讨。
- 谢生陈松岩何国荣周海文吴孙桃
- 关键词：低温键合磷化铟I-V特性键合强度
- 化合物半导体晶片和器件键合技术进展被引量：3
- 2003年
- 半导体晶片直接键合技术已成为半导体工艺的一门重要技术 ,它对实现不同材料器件的准单片集成、光电子器件的性能改善和新型半导体器件的发展起了极大的推动作用。文中详细叙述了近十年来 - 族化合物半导体键合技术的主要实验方法 ,并对各种键合方法的优缺点进行了比较 ,结合自己的工作对化合物半导体的键合机理和界面特性做了总结 。
- 谢生陈松岩何国荣
- 关键词：晶片直接键合化合物半导体
- Si/InP键合界面的研究被引量：5
- 2004年
- 应用疏水处理方法成功实现了Si/InP的键合,然后通过对InP和Si的表面XPS能谱分析得到界面信息,从而了解键合机理。I-V曲线也反应了键合界面的性质,通过450、550℃退火样品的伏安特性可知道,对于InP/Si键合结构而言,退火温度与界面特性应该存在最佳值。
- 陈松岩何国荣谢生
- 关键词：键合X射线光电子能谱
- Si/Si键合结构的电学性质测量及模拟被引量：1
- 2004年
- 研究Si/Si键合的电学性质对于界面研究和微电子器件的制备有着重要意义。分析了亲水处理方法键合的不同Si/Si键合结构的I-V特性,然后用SOS模型对n-Si/n-Si的C-V特性做了计算机辅助模拟,并和实际C-V曲线比较得出了平带电压VFB和界面态密度Din,这些结果对于键合的界面性质的了解和研究都是有意义的。
- 陈松岩何国荣谢生
- 关键词：半导体物理界面态
