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卢金龙

作品数:2 被引量:4H指数:1
供职机构:安徽大学电子信息工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金安徽省高等学校优秀青年人才基金国家科技重大专项更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇信号
  • 1篇信号子空间
  • 1篇自适应
  • 1篇自适应波束
  • 1篇自适应波束形...
  • 1篇自适应波束形...
  • 1篇线性约束最小...
  • 1篇RRAM
  • 1篇VASP
  • 1篇LCMV
  • 1篇波束
  • 1篇波束形成
  • 1篇波束形成算法
  • 1篇波束域

机构

  • 2篇安徽大学
  • 1篇淮北师范大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 2篇代月花
  • 2篇罗京
  • 2篇卢金龙
  • 1篇蒋先伟
  • 1篇朱德智
  • 1篇杨金
  • 1篇陈军宁
  • 1篇徐太龙
  • 1篇赵宏鹏
  • 1篇许会芳

传媒

  • 1篇计算机应用研...
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
缺陷对RRAM材料阻变机理的影响
2013年
基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理和VASP仿真软件,分析了阻变随机存储器(RRAM)阻变效应的物理机制。对比计算了单斜晶相HfO2中Ag掺杂体系、氧空位缺陷体系和Ag及氧空位缺陷共掺杂复合缺陷体系的能带、态密度、分波电荷态密度面和形成能,结果表明在相同浓度下Ag掺杂体系能形成导电通道,而氧空位缺陷体系不能形成导电通道;共掺杂体系中其阻变机制以Ag传导为主,氧空位缺陷为辅,且其形成能变小,体系更加稳定。计算共掺杂体系的布居数和迁移势垒,得出在氧空位缺陷存在的前提下,Ag—O键长明显增加,Ag离子的迁移势垒变小,电化学性能增强。进一步计算了缺陷间的相互作用能,其值为负,表明缺陷间具有相互缔合作用,体系更加稳定。
杨金代月花徐太龙蒋先伟许会芳卢金龙罗京陈军宁
关键词:VASPRRAM
一种稳健的波束域自适应波束形成算法被引量:4
2014年
在波束域算法中,针对波束域期望信号的指向误差落在波束主瓣边缘时波束性能严重恶化,采用波束域旋转矢量法的线性约束来改善波束域自适应算法的性能,同时为提高工程的实施性,减少算法的计算量,利用信号的特征值大于噪声的特征值这一理论,采用空间协方差矩阵逆的高阶次幂来逼近信号子空间,将求得的权矢量投影于改进的波束域的特征信号子空间,该算法在波束域中不但减少了计算量,而且使波束具有更好的信号比和稳健性。实验仿真验证了提出的改进波束域特征空间的稳健自适应算法的正确性和有效性,具有一定的工程实用价值。
赵宏鹏代月花朱德智卢金龙罗京
关键词:波束域自适应波束形成信号子空间
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