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雷欢

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学技术大学少年班更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇接触特性
  • 1篇界面态
  • 1篇P-SI
  • 1篇ZNO
  • 1篇I-V特性
  • 1篇V

机构

  • 1篇合肥工业大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 1篇段理
  • 1篇傅竹西
  • 1篇刘磁辉
  • 1篇林碧霞
  • 1篇刘秉策
  • 1篇蔡俊江
  • 1篇雷欢

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
ZnO∶Al/p-Si的接触特性被引量：1
2005年
利用射频磁控溅射制备了ZnO:Al/p-Si接触,并对其进行C-V和I-V特性的77～350 K变温测量.并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结果进行了对比分析.结果发现,未经热退火和经过热退火处理的样品在C-V和I-V特性上有很大差别.解释了两种样品的C-V和I-V测量结果的不同.对于未退火的样品,由于界面处的大量界面态的屏蔽作用,使得ZnO:Al/p-Si异质结的C-V曲线发生畸变.经800℃热退火,ZnO:Al/p-Si异质结的C-V特性恢复正常,说明热退火已经消除了异质结中的界面态和缺陷态.研究表明ZnO:Al/p-Si异质结经适当热退火处理有更好的整流特性同时对光致发光也更有利.
刘磁辉段理林碧霞刘秉策雷欢蔡俊江傅竹西
关键词：界面态
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共1页<1>
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