程旭辉
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安理工大学理学院应用物理系更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅自然科学基金陕西省科技攻关计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- GaN纳米线的制备及场发射特性研究
- 镓(GaN)是一种性能优异的宽禁带半导体材料,具有优良的光学、电学性质,且热稳定性和机械性能好,在光电子和微电子器件等方面具有广泛的应用.本文介绍了两种纳米线的制备方法。Pt催化CVD法制备GaN纳米线:首先，在Si衬底...
- 崔真李恩玲徐锐程旭辉郗萌
- 关键词：半导体材料氮化镓纳米线场发射性能
- 未钝化和H钝化GaN纳米线的电子结构被引量：1
- 2013年
- 用密度泛函理论研究直径为9.5,15.9和22.5,未钝化和H钝化GaN纳米线的能带和态密度.结果表明:未钝化和H钝化GaN纳米线的能隙都是直接带隙,未钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径的增加减小,但是变化不明显,H钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径增大也是减小的,但是减小的幅度比未钝化的大.未钝化GaN纳米线表面N原子的2p电子主要聚集在价带顶,表面Ga原子的4p电子主要聚集在导带底,这两种电子都具有很强的局域性,而且决定着能隙值;加H钝化可以消除表面原子产生的表面效应.
- 李恩玲郗萌崔真程旭辉徐锐马德明刘满仓王雪文
- 关键词：纳米线电子结构密度泛函理论
