王金
- 作品数:2 被引量:0H指数:0
- 供职机构:南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金江苏省科技支撑计划项目更多>>
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- Si基GaNHEMT低温欧姆接触工艺研究
- 2013年
- 研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti/Al(10/200nm)金属,在外延层刻蚀深度为20nm以及合金温度550°C时,得到接近传统高温合金条件下的接触电阻,最小值达到0.76Ω.mm,同时实现的欧姆接触电极具有良好的形貌。该技术有望应用于高频、高功率GaN HEMT的工艺。
- 王金孔岑周建军倪金玉陈堂胜刘涛
- 关键词:低温合金欧姆接触
- GaN HEMT器件^(60)Co-γ辐照效应研究
- 2023年
- 研究了总剂量4 Mrad(Si)^(60)Co-γ辐照对AlGaN/GaN HEMT器件的影响,器件在辐照过程中采用不同的加电方式。辐照过程会增加器件的栅泄漏电流,但辐照终止后电流快速恢复至初始状态。对比辐照前后的直流性能,器件的肖特基势垒高度、阈值电压、漏电流、跨导等未出现退化问题。实验结果表明,基于自主开发的GaN标准工艺平台所制备AlGaN/GaN HEMT器件,具有稳定可靠的^(60)Co-γ抗辐照能力。
- 邵国键赵玉峰王金周书同陈韬景少红钟世昌
- 关键词:辐照效应总剂量辐照肖特基势垒阈值电压跨导