林生晃
- 作品数：11 被引量：11H指数：3
- 供职机构：西安理工大学更多>>
- 发文基金：西安应用材料创新基金陕西省工业科技攻关项目陕西省教育厅自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 碳化硅晶体生长过程中的扩径与缺陷控制
- 在SiC晶体制备已取得长足进步的今天，如何获得大直径、高品质、低成本的SiC晶体依然是相关科研人员追求的目标。本文在2英寸SiC晶体常规生长工艺的基础上，借助多种特性表征手段对生长晶体的扩径和各种结构缺陷的成因与抑制进行...
- 林生晃
- 关键词：拉曼散射
- 6H-SiC的晶型可控生长
- 异晶型夹杂是影响SiC晶体品质的关键因素之一.在分析耔晶、杂质、生长温度、生长初期工艺、籽晶装配工艺等影响SiC晶型可控生长主要因素的基础上,制定了实现6H-SiC晶型可控生长的工艺,采用该工艺进行了晶体生长实验,结果表...
- 封先锋陈治明林生晃蒲红斌
- 关键词：6H-SIC
- SiC籽晶表面状态对晶体质量的影响被引量：3
- 2012年
- 为了研究表面状态对晶体质量的影响,本文分别采用腐蚀后抛光与未抛光的晶片作为籽晶,利用金相显微镜对所得晶体进行了显微观察,结果表明:经过腐蚀后抛光的籽晶生长出的晶体质量高于未抛光籽晶所得晶体;生长前端的位错尺寸以及数量小于未抛光籽晶,说明抛光去除了部分表面浅的缺陷腐蚀坑,同时减小深腐蚀坑的尺寸,使得籽晶生长表面的缺陷密度和尺寸大大降低,有助于减少后期生长的晶体中的缺陷密度,提高结晶质量。
- 杨莺刘素娟陈治明林生晃李科杨明超
- 关键词：抛光缺陷密度
- Al掺杂6H-SiC铁磁性研究(英文)
- 2013年
- 使用物理气象沉积法生长了轻Al掺杂6H-SiC样品,并使用超导量子干涉磁强计(SQUID)对无腐蚀及腐蚀后的样品进行了测试,发现了腐蚀后的样品在室温下表现出铁磁性。经过计算,样品磁信号并非来源于腐蚀剂KOH及K2CO3。同时腐蚀后的样品形貌表明杂质聚集在腐蚀后的缺陷附近从而形成了一定的铁磁性,因此缺陷被腐蚀放大是样品形成铁磁性的主要原因。
- 臧源李连碧林生晃曹琳
- 关键词：6H-SICAL掺杂铁磁性
- 高阻SiC晶体生长
- 由于受到本底真空度的限制,很难实现高纯的高阻SiC衬底的制备。鉴于通过改进以非故意掺杂的方式来获得高阻SiC的难度性,本文主要通过往料源中掺入深能级杂质钒,对浅能级杂质氮进行补偿来提高SiC衬底的电阻率,并分别用石墨和N...
- 林生晃陈治明蒋东梁鹏谢华杰
- 关键词：高阻SIC电阻率钒
- 文献传递
- SiC籽晶背面镀膜对生长晶体品质的影响被引量：1
- 2013年
- 在SiC单晶生长过程中,与籽晶背面升华有关的热分解腔等缺陷的形成严重影响了生长晶体的品质。本文介绍一种可以有效防止籽晶背面升华的预处理方法,即在粘贴籽晶之前,用直流反应溅射法在籽晶背面镀一层均匀、致密的耐高温薄膜TiN。实验结果表明,用这种方法生长的晶体中未发现热分解腔和六方空洞,而且微管密度也有所降低。
- 刘兵陈治明封先锋林生晃王风府
- 关键词：升华微管
- SiC晶体生长中籽晶缺陷的延伸及抑制
- 对用升华法所生长的SiC单晶体取得了近籽晶处的横纵切片,使用SEM、光学显微镜对样品进行了观察,分析表明按传统工艺粘贴的籽晶在生长之后存在次生缺陷一热分解坑。提出了通过优化初期生长工艺来抑制部分籽晶缺陷的延伸,利用KOH...
- 梁鹏陈治明林生晃蒋东谢华杰
- 关键词：PVTSIC缺陷密度
- 文献传递
- SiC晶体生长扩径技术
- 本文讨论了升华法生长SiC晶体的扩径技术。实验中通过对坩埚几何结构的改进和其它一些工艺参数的调整来探索其对扩径生长的影响。在采用圆柱型生长台、并在坩埚内近籽晶处加设锥面的实验中,晶体直径从56mm扩大到了60.6mm。当...
- 蒋东陈治明梁鹏林生晃谢华杰
- 关键词：晶体生长
- 文献传递
- PVT法生长SiC过程生长界面形状对热应力的影响被引量：4
- 2012年
- PVT法生长SiC过程中晶体内部的热应力是其位错产生的主要原因,而生长界面的形状对晶体热应力及缺陷的产生都有一定影响。本文对不同生长界面晶体的温场及应力场进行了数值分析,结果显示相对于凸出及平整界面的晶体,微凹界面晶体的轴向温差最小,同时产生缺陷的切应力τrz及引起开裂的径向正应力σrr值都为最小。
- 杨明超陈治明封先锋林生晃李科刘素娟刘宗芳
- 关键词：SIC数值模拟热应力
- PVT法生长SiC晶体过程中的源-衬距维持
- SiC晶体生长过程中源-衬距的减小影响晶体生长速率和晶体的品质。制定了下调坩埚系统高温区和不同粒度的SiC粉源分别放置在坩埚不同部位相结合的源-衬距维持方案,利用自制设备进行了晶体生长验证实验,实验结果显示该方案基本维持...
- 封先锋陈治明林生晃蒲红斌
- 关键词：晶体生长
