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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇P-N结
  • 1篇有机薄膜晶体...
  • 1篇数值模拟
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体管
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管
  • 1篇存储器
  • 1篇存储器件
  • 1篇值模拟

机构

  • 3篇兰州大学

作者

  • 3篇吴承龙
  • 3篇杨建红
  • 3篇盛晓燕
  • 2篇赵飞虎
  • 1篇贾水英
  • 1篇蔡雪原

传媒

  • 1篇电子器件
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇2010(第...

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
从多子角度阐述p-n结理论
本文是通过数值模拟的方法来研究p-n结二极管。模拟中几乎包含了所有在实际中影响二极管电流与电压特性的因素,如扩散区中过剩多子的影响以及耗尽区中产生与复合作用的影响。过去大多数对p-n结电流与电压特性的研究都是基于肖克莱方...
杨建红赵飞虎吴承龙盛晓燕
有机非挥发存储器件:浮栅结构有机薄膜晶体管
2011年
提出了一种浮栅结构的新型有机薄膜晶体管(FG-OTFT)器件,并阐述了这种器件的工作机理。该器件通过控制浮置栅上的电荷来控制FG-OTFT器件的阈值电压的大小,而器件不同的阈值电压便可用来存储"0"和"1"两个状态,故这种器件可以被用作有机非挥发存储器。我们通过计算机数值模拟的方法对这种器件进行了研究。研究表明该存储器件表现出4V的记忆窗口和很好的存储特性。这种新型结构的有机存储器件可以广泛的用于信息存领域。
吴承龙杨建红贾水英蔡雪原盛晓燕
关键词:存储器件数值模拟
从多子角度阐述p-n结理论被引量:1
2011年
传统方法在分析p-n结理论时仅仅关注了过剩少子的扩散电流,但是随着其浓度梯度的降低,扩散电流趋于零,则电流的连续性将难以理解。另外,如果仅仅考虑过剩少子的注入,则无法理解"中性区"的电中性(即电中性条件将被破坏)。针对以上矛盾,以基本的器件物理为基础,分析并得到过剩多子必然存在于中性区,且其分布和数量与过剩少子相同,因而过剩多子的扩散电流也参与p-n结的电流输运。在充分考虑过剩多子的基础上,对p-n结的工作机理可以有更好、更深刻的理解。理想二极管方程在一些假设下仅仅考虑了空间电荷区两边过剩少子的扩散电流,提供了一个很巧妙地计算总电流的方法。
杨建红赵飞虎吴承龙盛晓燕
关键词:P-N结
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