梁秀琴
- 作品数：3 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性被引量：2
- 2012年
- 采用射频磁控溅射方法和热处理工艺制备了二氧化钒(VO2)薄膜,并制作了金属钨/VO2/金属钨三明治结构,通过改变金属钨/VO2/金属钨三明治结构中VO2薄膜与金属钨电极的接触面积,研究了VO2薄膜的电致相变特性.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针和半导体参数测试仪对VO2薄膜的结晶取向、表面形貌、方块电阻和I-V特性进行了测试.实验结果表明,所制备的VO2薄膜为具有热致相变特性的单一组分VO2纳米薄膜,在热激励下,薄膜的方块电阻相变幅度达到2个数量级;在电压的激励下,VO2薄膜与金属钨的接触面积为12μm×12μm时,电流发生跳变的阈值电压为9.4 V,随着接触面积的减小,阈值电压也逐渐降低.
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- 关键词：VO2薄膜射频磁控溅射
- 射频磁控溅射功率对氧化钒薄膜相变特性的影响被引量：3
- 2011年
- 采用射频磁控溅射方法,结合氮气氛退火处理工艺制备二氧化钒薄膜,研究溅射功率对氧化钒薄膜电阻温度性能的影响.利用X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对薄膜的结晶结构和成分进行了分析,利用四探针测试仪测试了样品的电阻温度特性.实验结果表明,在保持优化氧分压和热处理工艺条件不变的情况下,氧化钒薄膜的方块电阻随溅射功率的升高逐渐下降;经450,℃热处理后,氧化钒薄膜出现了明显的半导体-金属相变特性,相变的幅度随溅射功率的增加而逐渐下降;在溅射功率为150,W时,获得了相变幅度接近3个数量级的高性能二氧化钒薄膜.
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- 关键词：二氧化钒溅射功率磁控溅射
- 晶粒尺寸对氧化钒薄膜电学与光学相变特性的影响被引量：6
- 2011年
- 采用直流对靶磁控溅射方法制备氧化钒薄膜,通过改变热处理温度获得了具有不同晶粒尺寸的相变特性氧化钒薄膜,对氧化钒薄膜相变过程中电阻和红外光透射率随温度的突变性能进行研究。结果表明:经300℃和360℃热处理后,薄膜内二氧化钒原子分数达到40%,氧化钒薄膜具有绝缘体-金属相变特性,薄膜的晶粒尺寸分别为50nm和100nm;经360℃热处理后,氧化钒薄膜表面变得致密,晶粒之间出现了联并;电学和光学相变特性的表征结果表明,电学与光学相变温度随晶粒尺寸的增加而减小;电学相变持续的温度宽度为30℃,而光学相变持续的温度宽度仅为8℃,相变持续的温度宽度保持不变。
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- 关键词：氧化钒薄膜晶粒尺寸
