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易志飞

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：上海大学更多>>
发文基金：上海市国际科技合作基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇闩锁
  • 2篇闩锁效应
  • 1篇准饱和效应
  • 1篇物理建模
  • 1篇物理模型
  • 1篇模型参数
  • 1篇模型参数提取
  • 1篇结构参数
  • 1篇宏模型
  • 1篇仿真
  • 1篇LDMOS
  • 1篇超高压

机构

  • 3篇上海大学

作者

  • 3篇易志飞
  • 2篇程东方
  • 1篇沈伟星
  • 1篇汪维勇

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学

年份

  • 3篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
700v高压BCD工艺研究与模型参数提取
易志飞
关键词：闩锁效应模型参数
超高压集成电路中的闩锁效应与仿真被引量：2
2010年
研究超高压集成电路中的寄生闩锁效应问题。针对采用外延技术的BCD工艺,给出外延层材料电阻率、工艺和结构参数变化与寄生闩锁结构触发阈值之间的数量关系,并在分析研究的基础上,给出一种高触发耐量的合理设计方案。经仿真实验,证明了该方案的可行性。
程东方易志飞
关键词：闩锁效应结构参数
一款超高压LDMOS管的物理建模被引量：1
2010年
借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性。按其工作机制,提出了用一个MOST和两个JFET有源器件构建成可用于电路仿真的LDMOST宏模型,并在电路仿真器HSPICE上验证了该宏模型的正确性;证明了LDMOST输出曲线中的准饱和特性源自寄生JFET的自偏置效应;采用参数提取软件UTMOSTⅢ,提取了相应的参数;给出了该LDMOST开关延迟时间的表达式和相关模型参数的提取方法等。所得结论与实测结果基本吻合。
程东方汪维勇易志飞沈伟星
关键词：LDMOS宏模型准饱和效应物理模型
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共1页<1>
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