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易志飞
作品数:
3
被引量:3
H指数:1
供职机构:
上海大学
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发文基金:
上海市国际科技合作基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
程东方
上海大学通信与信息工程学院新型...
汪维勇
上海大学通信与信息工程学院新型...
沈伟星
上海大学通信与信息工程学院新型...
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闩锁
2篇
闩锁效应
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物理模型
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模型参数
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结构参数
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宏模型
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仿真
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LDMOS
1篇
超高压
机构
3篇
上海大学
作者
3篇
易志飞
2篇
程东方
1篇
沈伟星
1篇
汪维勇
传媒
1篇
半导体技术
1篇
微电子学
年份
3篇
2010
共
3
条 记 录,以下是 1-3
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700v高压BCD工艺研究与模型参数提取
易志飞
关键词:
闩锁效应
模型参数
超高压集成电路中的闩锁效应与仿真
被引量:2
2010年
研究超高压集成电路中的寄生闩锁效应问题。针对采用外延技术的BCD工艺,给出外延层材料电阻率、工艺和结构参数变化与寄生闩锁结构触发阈值之间的数量关系,并在分析研究的基础上,给出一种高触发耐量的合理设计方案。经仿真实验,证明了该方案的可行性。
程东方
易志飞
关键词:
闩锁效应
结构参数
一款超高压LDMOS管的物理建模
被引量:1
2010年
借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性。按其工作机制,提出了用一个MOST和两个JFET有源器件构建成可用于电路仿真的LDMOST宏模型,并在电路仿真器HSPICE上验证了该宏模型的正确性;证明了LDMOST输出曲线中的准饱和特性源自寄生JFET的自偏置效应;采用参数提取软件UTMOSTⅢ,提取了相应的参数;给出了该LDMOST开关延迟时间的表达式和相关模型参数的提取方法等。所得结论与实测结果基本吻合。
程东方
汪维勇
易志飞
沈伟星
关键词:
LDMOS
宏模型
准饱和效应
物理模型
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