陈繁
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
- 发文基金：模拟集成电路重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于标准0.35μm工艺的SiGe:C HBT器件结构及应用研究
- 短短几年的发展,随着4G商用的成熟,5G的商用也即将展开序幕,通讯业的高速发展,对于现代集成电路与器件有了更高的要求,普遍要求高频率、小尺寸、低功耗、低成本等共性。锗硅(SiGe)类的器件在这种条件下应用而生,得到了迅速...
- 陈繁
- 文献传递
- 一种CMOS超高速主从式采样/保持电路被引量：2
- 2017年
- 基于65nm CMOS工艺,设计了一种新型的CMOS主从式采样/保持电路。采用全差分开环主从式的双通道采样结构,提高了电路的线性度。采用负电压产生技术,解决了纳米级工艺下电源电压低的问题。采用Cadence Spectre软件对电路进行仿真分析。仿真结果显示,在1.9V电源电压、相干采样下,当输入频率为1.247 5GHz,峰-峰值为0.4V的正弦波信号,采样率为2.5GS/s,负载为0.8pF时,电路的无杂散动态范围(SFDR)为78.31dB,总谐波失真(THD)为-75.69dB,有效位为11.51位,可用于超高速A/D转换器中。
- 陈振中王永禄胡蓉彬陈繁胡云斌
- 关键词：CMOS主从式超高速A/D转换器
- 高性能锗硅异质结器件击穿特性的研究
- 2017年
- 对高频下的SiGe HBT器件击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,分析了影响器件击穿特性的基区Ge分布与集电区掺杂浓度超结结构。在3种不同Ge分布下,仿真结果表明,基区Ge的均匀分布有利于提高击穿电压;同时将超结结构引入集电区后,SiGe HBT器件的击穿电压提高了36%,由2.5V提高到3.4V。
- 陈繁谭开洲陈振中陈谱望张静崔伟
- 关键词：GE组分分布击穿电压异质结双极晶体管
- SBFL结构SiGe HBT器件的击穿特性研究被引量：1
- 2017年
- 对高频SiGe HBT器件的击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,对超结结构引入器件集电区后的击穿特性进行了分析,提出了一种采用分裂浮空埋层结构(SBFL)的SiGe异质结器件。这种结构改善了器件的内部电场分布,电场分布由原来的单三角形分布变成双三角形分布。仿真结果表明,该器件结构的击穿电压由原有的3.6V提高到5.4V,提高了50%。
- 陈繁马婷谭开洲王兰钟黎
- 关键词：击穿电压
