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方应龙
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
供职机构:
河南大学物理与电子学院光伏材料省重点实验室
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发文基金:
河南省高校科技创新团队支持计划
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
电子电信
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合作作者
陈秀文
河南大学物理与电子学院光伏材料...
张伟风
河南大学物理与电子学院光伏材料...
贾彩虹
河南大学物理与电子学院光伏材料...
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河南大学
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贾彩虹
1篇
张伟风
1篇
方应龙
1篇
陈秀文
传媒
1篇
压电与声光
年份
1篇
2015
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激光分子束外延法制备AlN/Si异质结的电学性质
被引量:3
2015年
采用激光分子束外延法在Si(111)衬底上制备出沿c轴取向的AlN薄膜,在此基础上制备了Au/AlN/Si金属-绝缘体-半导体(MIS)结构。研究了结构的电流传输机制、AlN/Si界面处的界面态密度值及分布情况。结果表明:AlN/Si异质结具有很好的整流特性,电流传输符合空间电荷限制传输机制,理想因子为2.88;结构的界面态密度约为1.1×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2),主要分布在距离Si衬底价带顶0.26eV附近,由生长过程中引入的O杂质、N空位/N替代和Si原子代替N原子形成的Al-Si键组成。
方应龙
贾彩虹
陈秀文
张伟风
关键词:
异质结
激光分子束外延
电导法
界面态密度
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