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方应龙

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：河南大学物理与电子学院光伏材料省重点实验室更多>>
发文基金：河南省高校科技创新团队支持计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电导
  • 1篇电导法
  • 1篇异质结
  • 1篇态密度
  • 1篇界面态
  • 1篇界面态密度
  • 1篇激光分子束外...
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇SI(111...
  • 1篇SI异质结
  • 1篇ALN

机构

  • 1篇河南大学

作者

  • 1篇贾彩虹
  • 1篇张伟风
  • 1篇方应龙
  • 1篇陈秀文

传媒

  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
激光分子束外延法制备AlN/Si异质结的电学性质被引量：3
2015年
采用激光分子束外延法在Si(111)衬底上制备出沿c轴取向的AlN薄膜,在此基础上制备了Au/AlN/Si金属-绝缘体-半导体(MIS)结构。研究了结构的电流传输机制、AlN/Si界面处的界面态密度值及分布情况。结果表明:AlN/Si异质结具有很好的整流特性,电流传输符合空间电荷限制传输机制,理想因子为2.88;结构的界面态密度约为1.1×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2),主要分布在距离Si衬底价带顶0.26eV附近,由生长过程中引入的O杂质、N空位/N替代和Si原子代替N原子形成的Al-Si键组成。
方应龙贾彩虹陈秀文张伟风
关键词：异质结激光分子束外延电导法界面态密度
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