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陈秀文

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：河南大学物理与电子学院光伏材料省重点实验室更多>>
发文基金：河南省高校科技创新团队支持计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化铝薄膜
  • 1篇电导
  • 1篇电导法
  • 1篇异质结
  • 1篇态密度
  • 1篇界面态
  • 1篇界面态密度
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体质量
  • 1篇激光分子束外...
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇SI(111...
  • 1篇SI异质结
  • 1篇ALN
  • 1篇ALN薄膜

机构

  • 2篇河南大学

作者

  • 2篇陈秀文
  • 1篇贾彩虹
  • 1篇张伟风
  • 1篇方应龙

传媒

  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
在立方MgO衬底上外延生长高质量的六方AlN薄膜
采用激光分子束外延技术，相同的实验条件下分别在Si(111)、sapphire (0006)和MgO(111)衬底上外延出极性纤锌矿结构AlN薄膜。XRDθ-2θ，Φ扫描和ω扫描结果显示(0002)AlN在六方的sapp...
Xiuwen Chen陈秀文Caihong Jia贾彩虹Hongtao Wang王宏涛Weifeng Zhang张伟风
关键词：氮化铝薄膜晶体质量
激光分子束外延法制备AlN/Si异质结的电学性质被引量：3
2015年
采用激光分子束外延法在Si(111)衬底上制备出沿c轴取向的AlN薄膜,在此基础上制备了Au/AlN/Si金属-绝缘体-半导体(MIS)结构。研究了结构的电流传输机制、AlN/Si界面处的界面态密度值及分布情况。结果表明:AlN/Si异质结具有很好的整流特性,电流传输符合空间电荷限制传输机制,理想因子为2.88;结构的界面态密度约为1.1×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2),主要分布在距离Si衬底价带顶0.26eV附近,由生长过程中引入的O杂质、N空位/N替代和Si原子代替N原子形成的Al-Si键组成。
方应龙贾彩虹陈秀文张伟风
关键词：异质结激光分子束外延电导法界面态密度
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