张志军
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十五研究所更多>>
- 发文基金：北京市教育委员会科技发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- CMP中铜的碟形缺陷的研究被引量：1
- 2008年
- 具体分析了铜的碟形缺陷并非由于抛光垫的弯曲造成,但是与抛光垫的表面形态有关,在此基础上,分析了铜CMP的作用机制,初步定性指出造成铜的碟形缺陷的原因,并对缺陷进行建模。比较了铜的碟形缺陷的电阻实际测量值和理论计算值,发现带碟形缺陷的电阻均大于理论值,并且随着铜的线宽增大,碟形缺陷也呈增大趋势。详细比较了选择性抛光液和非选择性抛光液对碟形缺陷的作用,从理论和测绘图形上证明选择性抛光液是造成碟形缺陷重要因素之一。采用了综合的工艺实验,最后得出抛光垫的种类及选择性抛光液在过抛光的情况下,是造成铜碟形缺陷的主要因素。
- 周国安靳永吉张志军詹阳
- 关键词：CMP铜抛光垫
- 晶片边缘磨削控制方法研究被引量：2
- 2009年
- 对半导体工艺中晶片的边缘磨削技术进行了论述,分析了晶片边缘磨削技术的特点,在此基础上,提出了一种高效、可靠的晶片边缘磨削方法。该方法基于单轴电机进给控制,通过控制软件来实现对晶片边缘及定位边的磨削。首先确定晶片定位边位置,然后通过精确控制承片台驱动电机的旋转角度来磨削晶片圆边,对于定位边的磨削,需要精确控制承片台驱动电机的旋转角度和进给电机的进给量,通过两电机联动控制,完成定位边磨削。该方法控制精度高,成功实现了在单轴电机驱动下的晶片圆边及定位边磨削。试验结果证明,该方法可靠、稳定、高效,并降低了设备硬件成本。
- 贺敬良王学军张志军
- 关键词：晶片倒角
